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公开(公告)号：CN111952330A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010841428.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种可见光通信LED阵列及其制备方法，包括衬底；位于所述衬底上的M个间隔的LED结构，M＞2，所述LED结构包括：台面结构以及位于所述台面结构上的n电极和p电极；位于所述衬底和所述台面结构上的互连线，所述互连线连接于所述M个LED结构中其中一个LED结构的p电极和另一个LED结构的n电极之间；位于所述互连线上的绝缘保护层；以及贯穿所述绝缘保护层的焊点窗口，以暴露出部分所述互连线作为焊点，所述焊点与所述LED结构串联。本发明提供的可见光通信LED阵列可以同时提高调制带宽与光功率，从而提高可见光通信中的信号传输质量。
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公开(公告)号：CN107135570B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710252486.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/50
CPC classification number: Y02B20/343
Abstract: 一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述LED器件的负极和可调电阻的一端为输出端。本发明可以适应不同带宽、不同阻抗特性的LED器件，改善可见光通信光源在极端环境下的通信质量。
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公开(公告)号：CN107134448B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710252392.4
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L25/16
Abstract: 一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方沉积一层绝缘介质层，作为平板电容的中间介质层；步骤4：在绝缘介质层上的中间两侧制作LED贴封所需的正电极和负电极，该正电极和负电极不相连接；步骤5：在正电极和负电极的外侧绝缘介质层上制作平板电容的上电极板，两个上电极板分别同正电极和负电极相连，构成并联均衡电路；步骤6：将LED芯片利用焊球贴封在制备好的正电极和负电极上，完成集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN107134448A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710252392.4
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L25/167
Abstract: 一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方沉积一层绝缘介质层，作为平板电容的中间介质层；步骤4：在绝缘介质层上的中间两侧制作LED贴封所需的正电极和负电极，该正电极和负电极不相连接；步骤5：在正电极和负电极的外侧绝缘介质层上制作平板电容的上电极板，两个上电极板分别同正电极和负电极相连，构成并联均衡电路；步骤6：将LED芯片利用焊球贴封在制备好的正电极和负电极上，完成集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN111785818B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010666456.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/22 , G02B6/122
Abstract: 一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明与现有大多数GaN基波导不同，本发明采用了多孔下包层，由于多孔材料能提供比单层AlGaN下包层更大的折射率差，该结构对传输的光场模式有更好的限制作用，从而降低光场向衬底方向的泄露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713507A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911016481.4
申请日：2019-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于多孔DBR的GaN基回音壁激光器、其制备方法及应用，该GaN基回音壁激光器包括一衬底；一缓冲层，其设置在衬底上，缓冲层的外围向下刻蚀形成一凸起部分；一多孔DBR层，其设置在所述凸起部分上，起光场限制作用；一n型掺杂GaN层，其设置在多孔DBR层上；一有源层，其设置在n型掺杂GaN层上；一电子阻挡层，其设置在有源层上；以及一p型掺杂GaN层，其设置在电子阻挡层上。本发明采用的底部多孔DBR反射镜对回音壁微腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，不会造成部分光场向衬底方向的泄露，制备的回音壁激光器阈值功率密度较低。
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公开(公告)号：CN111816742A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010731387.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法。包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型GaN层，位于所述缓冲层上；n型AlGaN电子阻挡层，位于所述n型GaN层上；InGaN/GaN多量子阱有源区，位于所述n型AlGaN电子阻挡层上；p型GaN层，位于所述InGaN/GaN多量子阱有源区上。本发明提供的LED外延结构降低了电子阻挡层对空穴注入量子阱的阻碍作用，提高了空穴注入效率；并且该LED外延结构还可以提高辐射复合系数，从而同时提高最高光功率和最大调制带宽。
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公开(公告)号：CN111785816A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010638191.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于DBR的量子点谐振腔器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的上；电流扩散层，位于所述缓冲层上；多孔DBR层，位于所述n-GaN电流扩散层上，作为谐振腔底部反射镜；相位调整层，位于所述多孔DBR层上，用于调整谐振腔内部电场分布，增大谐振腔的谐振效果；量子点有源层，位于所述相位调整层上；量子点保护层，位于所述量子点有源层上；以及介质层，多周期结构，位于所述量子点保护层上，作为谐振腔顶部反射镜。
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公开(公告)号：CN111769182A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010666521.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用，该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底；一缓冲层；一n型GaN层；一InGaN/GaN多量子阱有源区；-介质隔离层；-金属颗粒层；-介质盖层；一电子阻挡层；以及一p型GaN层。本发明的表面等离激元GaN基LED外延结构包含不多于三对量子阱，由于等离激元与距离其最近的量子阱也即最靠近pgan的量子阱耦合效率最高，因而减小量子阱数目可实现载流子与等离激元耦合的最大化耦合，减小了量子阱增多带来的无效耦合，极大提高辐射复合速率。
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公开(公告)号：CN112002788A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010918413.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物基分布式布拉格反射镜及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、多组叠层结构，每组叠层结构分别为由n型掺杂氮化物层和非故意掺杂氮化物层以固定厚度交替生长而形成的多周期性结构，且各组所述叠层结构之间的周期厚度不同；将所得结构表面沉积或生长一层保护层；自保护层沿着朝向衬底的方向刻蚀直至多组叠层结构的侧壁完全暴露；将所得结构作为阳极进行电化学腐蚀，n型掺杂氮化物层被腐蚀成多孔层，第一非故意掺杂氮化物层不会被腐蚀而成为无孔层，然后去除保护层后得到分布式布拉格反射镜(DBR)。本发明可实现III族氮化物基DBR高反射率和宽反射带宽和波长范围的调控，方法简单且易操作。
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