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公开(公告)号：CN115775848A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211596678.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构GaN紫外光探测器的制备方法，包括：在绝缘衬底上形成底电极；将GaN薄膜转移至底电极上，在GaN薄膜上形成顶电极，底电极和顶电极与GaN薄膜形成的区域在垂直方向上有重叠，以使底电极、GaN薄膜和顶电极构成垂直结构GaN紫外光探测器。本发明提供的垂直结构GaN紫外光探测器具有暗电流低、响应速度快、开关比高等特点。
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