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公开(公告)号：CN108091566A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711280649.3
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法，包括：提供半导体外延片；在半导体外延片上制作硬掩膜层；在硬掩膜层上制作掩膜层；以掩膜层为掩膜刻蚀硬掩膜层，图形化硬掩膜层；去除掩膜层露出图形化的硬掩膜层；对露出图形化的硬掩膜层的半导体外延片进行器件间台面隔离；在半导体外延片的异质结外延层表面的阳极区域刻蚀该异质结外延层形成阳极凹槽，之后去除光刻胶和硬掩膜层；在半导体外延片的异质结外延层表面的阴极区域形成层阴极金属。本发明利用纳米压印技术或铺聚苯乙烯球技术实现纳米级阳极凹槽，从而制备同时具有低开启电压、低导通电阻、高饱和电流等良好正向导通特性与低漏电、高击穿电压等良好反向关断特性的肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN106784180A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611114395.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/12
Abstract: 一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；在低温成核层上生长AlN高温缓冲层；在AlN高温缓冲层上依次生长N型AlxGa1‑xN电极接触层、AlxGa1‑xN量子阱层、AlxGal‑xN电子阻挡层、P型AlxGal‑xN层和P型InxGal‑xN电极接触层；在P型InxGal‑xN电极接触层的上面向下依次刻蚀，暴露出N型AlxGa1‑xN电极接触层，在N型AlxGa1‑xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；在台面上制备n型接触电极；在P型InxGa1‑xN电极接触层上制备p型接触电极。本发明可以提高UV‑LED发光效率，消除了光刻和刻蚀工艺可能会对设备造成的污染，并降低器件的加工成本。
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公开(公告)号：CN106517410A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611216944.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C02F1/32
CPC classification number: C02F1/325 , C02F2201/3222
Abstract: 本发明公开了一种杀菌消毒的装置包括管道，其管体至其内壁能够透光；光源，嵌入所述管道的管体中，用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射；电源用于给所述光源供电；还包括电源外壳和防水导线，所述电源外壳固定于所述管道的外壁，用于容纳所述电源，用于连接电源和光源。本发明提供的杀菌消毒的装置可以降低杀菌消毒的成本，只要用户将带有杀菌消毒装置的水管接入水流过的管路，就可以及时杀菌消毒。
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公开(公告)号：CN103956414B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410183522.X
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件制备方法中，pn结台面的材料均为AlxGa1-xN材料，其中0≤x≤1，且有源区中Al组分最低，即整个发光二极管pn结台面结构对有源区发出的光是透明的。因此本发明的紫外发光二极管结构解决了p型GaN层吸收紫外光的问题，可以有效提高紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN103701037B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310637212.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900689A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510309494.6
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN115312593A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211083876.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/205 , H01L29/41 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；沟道层，形成在衬底上，沟道层上形成有向下凹陷的台面；势垒层，形成在沟道层的未形成有台面的区域上，势垒层适用于在沟道层内极化产生二维电子气层；p型基区，形成在势垒层上的部分区域；n型发射区，形成在p型基区上的部分区域；漏极，形成在沟道层的台面上，漏极适用于与二维电子气层形成欧姆接触；其中，p型基区与n型发射区形成异质结结构，异质结结构适用于经过势垒层向沟道层输入电流，二维电子气层适用于将电流传输至漏极。本发明还包括一种上述的异质结双极型晶体管的制作方法。
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公开(公告)号：CN111446296B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010262718.3
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/43 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法，其p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构，自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p型层；还包括：第一n型层、第二n型层、第一台面、第二台面、源电极、漏电极和栅电极，第一台面自p型层刻蚀至沟道层；第一n型层生长在第一台面上；第二台面自第一n型层刻蚀至缓冲层内；源电极和漏电极分别制备在第一n型层上；栅电极制备在p型层上；第二n型层生长在p型层上，且位于栅电极外的区域。本公开第二n型层的引入可耗尽其下方p型层中的空穴浓度，恢复异质结中的二维电子气，实现器件的增强型，并避免了刻蚀带来的晶格损伤以及界面杂质对p型层的影响。
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公开(公告)号：CN109841708B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201711217590.3
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。
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公开(公告)号：CN109560785B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
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