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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560784B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109560785A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109560784A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107634734A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710893349.6
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法，其中声表面波谐振器自下而上包括：衬底层、叉指电极及单晶氮化物薄膜层，还包括介于叉指电极和单晶氮化物薄膜层之间的AlN成核层；该AlN成核层覆盖于叉指电极的上表面、侧面及叉指电极中各电极单元之间的间隔区域，该AlN成核层的边缘与衬底层的边缘平齐；单晶氮化物薄膜层的上表面与水平面平行。因此，本发明的谐振器结构，在叉指电极与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖叉指电极的AlN成核层，一方面消除了叉指电极在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题；另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物声表面波谐振器及滤波器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109560785B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
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