公开(公告)号：CN101789446A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010107441.3

申请日：2010-02-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  王林 ,  王晓东 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/205 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种双异质结MOS-HEMT器件，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、InGaN嵌入层7、GaN沟道层6、AlN势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为势垒层，降低了器件的自加热效应和栅极漏电流，降低了器件耗尽模式工作下的阈值电压；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，大大地减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压；利用InGaN材料的反向极化现象，提高了缓冲层的导带能量，降低了器件的电流坍塌效应。

公开(公告)号：CN101740662A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910198969.3

申请日：2009-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  黄建 ,  胡伟达 ,  尹文婷 ,  林春 ,  陈路 ,  廖清君 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。

公开(公告)号：CN101531855A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910049109.3

申请日：2009-04-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张建标 ,  胡伟达 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: C09D133/02 ,  C09D5/33 ,  C09D7/12

Abstract: 本发明公开了一种复合型金属空心介质微球隔热涂料，它由金属空心介质微球、成膜剂、分散剂、成膜助剂和消泡剂组成，各组分的质量配比为：金属空心介质微球15～20％，成膜剂70～75％，分散剂1.0～3.0％，成膜助剂3.0～10.0％，消泡剂1.0～2.0％。该涂料在太阳辐射热量集中的1.3～10μm红外波段，反射率达到85％以上，自发辐射保持与基体材料一致，隔热效果良好。本发明的优点在于将辐射、反射和阻隔多重隔热机理综合在一起，具有自发辐射低、太阳热反射率高和热阻隔效果好的特点。

公开(公告)号：CN101252152A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810035501.8

申请日：2008-04-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  王良 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  李宁 ,  李志锋 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  甄红楼

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。

公开(公告)号：CN101221203A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710172700.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  叶振华 ,  胡晓宁

IPC: G01R29/24

Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN120039833A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510325182.8

申请日：2025-03-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王振 ,  胡伟达 ,  段世杰 ,  赵天歌 ,  许航瑀 ,  康乾龙 ,  姚碧霂 ,  王进

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明属于铋氧硒纳米片技术领域，具体涉及一种Bi3O2.5Se2纳米片的制备方法。本发明采用化学气相沉积的方法，以Bi2Se3和含有结晶水的KI分别作为前驱体和供氧源形成混合物，将基底置于所述混合物的上方，在通入载气的条件下加热所述混合物进行反应，在所述基底表面生长得到所述Bi3O2.5Se2纳米片。本发明提供的制备方法显著提高Bi3O2.5Se2纳米片的均匀性和结晶质量，且有效降低晶畴合并的界面的粗糙度，改善晶畴合并的界面的质量；同时，本发明生长温度低，减少能耗和设备损耗，更适宜工业化应用。

公开(公告)号：CN119758643A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202510082813.8

申请日：2025-01-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王鹏 ,  张坤 ,  郭家祥 ,  张涛 ,  邓科 ,  彭嘉慧 ,  胡伟达

IPC: G02F1/21 ,  G02B26/08 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明涉及光学MEMS微纳器件技术领域，具体公开一种具有双增透结构的MEMS法布里‑珀罗滤波器，其包括依次设置的微结构、驱动结构、上布拉格反射镜、下布拉格反射镜、补偿结构和衬底；所述下布拉格反射镜具有第一低折射率薄膜层，所述补偿结构与所述第一低折射率薄膜层的材质相同；所述补偿结构和第一低折射率薄膜层的厚度相同；所述微结构和补偿结构构成双增透结构。该补偿结构提高下布拉格反射镜的反射率，同时补偿下布拉格反射镜的应力，使得平整度增加，增加法布里‑珀罗腔内光能的利用率；两者共同作用使整个MEMS法布里‑珀罗滤波器透射光谱的透射率得到提升，滤波质量得到大幅提升。

公开(公告)号：CN119401950A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411974626.2

申请日：2024-12-31

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  胡震 ,  潘晓凯 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  陆卫

IPC: H03B19/14

Abstract: 本发明属于毫米波倍频技术领域，提供了一种毫米波高次频梳倍频器及其制备方法和应用。本发明的毫米波高次频梳倍频器，包括层叠设置的基底层和吸收层；吸收层包括铌铱碲层和金属电极层，金属电极层的部分搭接于铌铱碲层上，4个金属电极层按横向和纵向对称分布。本发明采用铌铱碲作为吸收层，铌铱碲为零带隙材料，探测光谱范围广；同时，铌铱碲是非中心对称材料，具有较大的贝里曲率偶极子系数，使得其具有贝里曲率诱导的非线性霍尔效应，使得以此构建的毫米波高次频梳倍频器具有高次倍频效应，且不需要外加偏压，在室温和低温下均能够稳定工作。此外，有效降低了对高频毫米波‑太赫兹源的依赖，为高频毫米波‑太赫兹源的发展提供了理论依据。

公开(公告)号：CN119194401A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411313018.7

申请日：2024-09-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  王振 ,  王鹏 ,  赵天歌 ,  余羿叶 ,  王芳 ,  姚碧霂

IPC: C23C16/30 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及光电材料和器件技术领域，尤其涉及一种具有体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法。本发明提供了一种范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述制备方法制备得到的范德华碲纳米材料可以使光电器件的体光伏响应具有很宽的谱段和高光电流密度。

公开(公告)号：CN107221575B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201710563651.5

申请日：2017-07-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  龚帆 ,  骆文锦 ,  王鹏 ,  龙明生 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器及制备方法。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本发明的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。