公开(公告)号：CN119861520A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510082706.5

申请日：2025-01-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张坤 ,  王鹏 ,  郭家祥 ,  张涛 ,  邓科 ,  彭嘉慧 ,  胡伟达

IPC: G02F1/21 ,  G02B26/08 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，具体公开一种静电驱动MEMS法布里‑珀罗滤波器的制备方法，采用SOI晶圆作为第一基底，利用其顶层硅作为MEMS法布里‑珀罗滤波器的驱动结构，可以精确调整悬臂的厚度以及其机械特性，同时该SOI晶圆的二氧化硅绝缘层也可以作为停刻层，避免过度刻蚀的情况，进一步提高了该滤波器的制造良率。刻蚀键合层和SOI晶圆二氧化硅绝缘层时，采用高级氧化物刻蚀和反应离子刻蚀相结合的刻蚀方法，综合了各向同性和各向异性，克服单一工艺的局限性，本发明通过将驱动结构和固定结构进行错位键合，在图案化键合金属的时候留出一定线性偏移的错位量，采用金锡共晶键合，解决顶部和底部电极引出的问题，降低了加工的成本和不确定性。

公开(公告)号：CN119758643A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202510082813.8

申请日：2025-01-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王鹏 ,  张坤 ,  郭家祥 ,  张涛 ,  邓科 ,  彭嘉慧 ,  胡伟达

IPC: G02F1/21 ,  G02B26/08 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明涉及光学MEMS微纳器件技术领域，具体公开一种具有双增透结构的MEMS法布里‑珀罗滤波器，其包括依次设置的微结构、驱动结构、上布拉格反射镜、下布拉格反射镜、补偿结构和衬底；所述下布拉格反射镜具有第一低折射率薄膜层，所述补偿结构与所述第一低折射率薄膜层的材质相同；所述补偿结构和第一低折射率薄膜层的厚度相同；所述微结构和补偿结构构成双增透结构。该补偿结构提高下布拉格反射镜的反射率，同时补偿下布拉格反射镜的应力，使得平整度增加，增加法布里‑珀罗腔内光能的利用率；两者共同作用使整个MEMS法布里‑珀罗滤波器透射光谱的透射率得到提升，滤波质量得到大幅提升。