-
公开(公告)号：CN107221575A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710563651.5
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/108 , H01L31/0264 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器及制备方法。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本发明的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。
-
公开(公告)号：CN107195722A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710563628.6
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/10
Abstract: 本发明公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
-
公开(公告)号：CN107221575B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710563651.5
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器及制备方法。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本发明的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216497A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811036994.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本公开提供了一种基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法，片上光探测器自下而上包括：重掺杂电极、薄层绝缘层、二维薄层材料和两个金属电极；二维薄层材料嵌设在薄层绝缘层和两个金属电极间；二维薄层材料为具有低面内对称性的二维材料。本公开光探测器使用的是全新的二维材料，由于材料本身的各向异性等特点，使得光探测器可以探测多角度的线偏振光，应用范围更加广泛，从根本上改变了探测器的性质。
-
公开(公告)号：CN108400198A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810091051.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/02161 , H01L31/1836 , H01L31/1896
Abstract: 本发明公开了一种面内非对称局域场调控的低维纳米光电探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为衬底、氧化物层、纳米半导体、源漏电极和介质层。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄氧化锌(ZnO)纳米片转移到具有氧化物层的硅衬底上，利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极，然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪(HfO2)介质层，制备成低维纳米光电探测器。通过引入非对称HfO2，形成带电气体分子对纳米片的部分吸附，来调控氧化锌纳米片两边载流子的浓度，从而形成面内非对称局域场，最终来加快器件的响应速度，并且器件还展现了超高的探测率。本发明的优点是制备简单，响应速度快，暗电流低，探测率高和功耗小。
-
公开(公告)号：CN108258064A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810092865.3
申请日：2018-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
-
公开(公告)号：CN207009460U
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201720838173.X
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本专利的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207967011U
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201820160569.8
申请日：2018-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本专利公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
