公开(公告)号：CN100479100C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610168911.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社上睦可

Inventor： 山内庄一 ,  柴田巧 ,  山冈智则 ,  野上彰二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/66 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括如下步骤：在硅衬底(1、40)上形成第一外延膜(2、41)；在第一外延膜(2、41)中形成沟槽(4、43)；并且在第一外延膜(2、41)上和在沟槽(4、43)中形成第二外延膜(23、44、45)。形成第二外延膜(23、44、45)的步骤包括最后的步骤，其中使用硅源气体和卤化物气体的混合气体。硅衬底(1、40)具有被定义为α的砷浓度，第二外延膜(23、44、45)具有被定义为β的杂质浓度。砷浓度和杂质浓度具有如下关系：α≤3×1019×ln(β)-1×1021。

公开(公告)号：CN1949461A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610140367.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社上睦可

Inventor： 柴田巧 ,  山内庄一 ,  山冈智则 ,  野上彰二

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括步骤：在硅衬底(1)的主表面上形成沟槽(4)；在主表面上和沟槽(4)中形成第一外延膜(20)；以及在第一外延膜(20)上形成第二外延膜(21)。形成第一外延膜(20)的步骤具有第一外延膜(20)的第一生长速度的第一工艺条件。形成第二外延膜(21)的步骤具有第二外延膜(21)的第二生长速度的第二工艺条件。第二生长速度比第一生长速度大。

公开(公告)号：CN1945796A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610137580.4

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社上睦可 ,  株式会社电装

Inventor： 野上彰二 ,  山冈智则 ,  山内庄一 ,  山口仁 ,  柴田巧

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/0634

Abstract: 在具有外延膜的沟渠的开口处抑制封闭并由此改善沟渠中的填充形态。一种半导体衬底的制造方法包括在硅衬底13的表面上生长外延层11的步骤，在该外延层11中形成沟渠14的步骤，和用外延膜12填充沟渠14的内部的步骤，其中在用外延膜填充沟渠的内部中流通作为材料气体的通过将类卤基混合入硅源气体制造的混合气体，当类卤基气体的标准流速定义为Xslm和将通过流通硅源气体形成的外延膜的薄膜形成速度定义为Yμm/min时，在当沟渠的纵横比小于10的情况下，满足表达式Y＜0.2X+0.10，在沟渠的纵横比在10和小于20之间的情况下，满足表达式Y＜0.2X+0.05，在沟渠的纵横比是20或者更大的情况下，满足表达式Y＜0.2X。

公开(公告)号：CN1937179A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610106125.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。

公开(公告)号：CN1866538A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610081886.2

申请日：2006-05-17

Applicant: 株式会社上睦可 ,  株式会社电装

Inventor： 野上彰二 ,  山冈智则 ,  山内庄一 ,  山口仁

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/6609

Abstract: 为了在半导体衬底上形成超级结结构后抑制电荷平衡的恶化和维持良好的耐压特性，在衬底主体的表面上以预定间隔分别形成多个柱状第一外延层(11)，并在该多个第一外延层之间的沟槽中分别形成多个第二外延层(12)。平行于衬底主体的表面的表面中的第一外延层中所包括的掺杂剂的浓度分布被配置为与平行于衬底主体的表面的表面中的第二外延层中所包括的掺杂剂的浓度分布相匹配。

公开(公告)号：CN1780940A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011173.8

申请日：2004-02-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 宝来正隆 ,  杉村涉 ,  小野敏昭 ,  田中忠美

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 在本发明中，在使用在晶体中心部的温度梯度Gc与在晶体外周部的温度梯度Ge相同或比之大的热区结构，采用CZ法生长出无Grown－in缺陷的硅单晶时，向拉晶炉内供给含氢的惰性气体，且在环状OSF发生区域在晶体中心部消灭的临界速度附近进行拉晶。根据本发明，环状OSF区域在晶体中心部消灭的临界速度提高，原生状态下在晶体径向整个区域中不存在位错簇及COP的无Grown－in缺陷的单晶，通过比过去高的速度的拉晶而能生长出。

公开(公告)号：CN1768421A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008600.7

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。