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公开(公告)号：CN113299732A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010111560.X
申请日：2020-02-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件、芯片、设备和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：碳化硅衬底；在碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，该碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反，第三掺杂区与第二掺杂区邻接，第三掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度；与第二掺杂区连接的第一金属层；与第一金属层连接的第一电极；以及在碳化硅衬底的远离碳化硅漂移层的一侧的第二电极。该半导体器件具有比较低的导通压降和较强的抗浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN113140639A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010059519.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管及其制作方法，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。
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公开(公告)号：CN111952156A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910410169.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/228 , H01L21/324 , H01L21/329
Abstract: 本申请涉及半导体器件制备技术领域，公开一种向硅衬底扩散铂或金的方法及快恢复二极管制备方法，其中，向硅衬底扩散铂或金的方法包括以下步骤：去除硅衬底的主结区域的氧化层；在硅衬底主结区域露出的表面滴上含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液；将六甲基二硅胺烷溶液旋涂于硅衬底主结区域露出的表面；软烘，使六甲基二硅胺烷溶液变为固态；去除固态六甲基二硅胺烷；对硅衬底进行热退火。上述方法抛弃了现有技术中直流溅射的传统方案，而是将含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液旋涂于主结区域，经过软烘并去除固态六甲基二硅胺烷后，退火，即可使铂原子或金原子扩散进主结区域内，引入复合中心，达到减小反向恢复时间的目的。
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公开(公告)号：CN110416200A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910589440.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/98 , H01L23/04 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及电子功率器件技术领域，特别涉及一种功率模块封装结构及制作方法。该功率模块封装结构包括绝缘外壳和基板组件，绝缘外壳封装于基板组件外以至少覆盖基板组件的功能结构部分；基板组件包括第一基板和第二基板；第一基板朝向第二基板的表面设置有功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片；第二基板朝向绝缘外壳的表面设置有功率因数校正驱动芯片、三相逆变驱动芯片以及自举二极管芯片，第二基板朝向第一基板的表面设置有电路层；电路层分别与功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片电性连接。在满足功能要求的基础上缩小了结构占板面积。
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公开(公告)号：CN211578790U
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202020691064.1
申请日：2020-04-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种热电堆芯片。热电堆芯片包括衬底和设置在衬底上的绝缘层，热电堆芯片还包括热电偶组件，热电偶组件包括：多个热电偶对，各热电偶对均具有热结部，多个热电偶对沿预设方向分布，以使多个热电偶对的热结部沿预设方向间隔设置；预设方向为从衬底的中部至衬底的外周面的方向；其中，热电偶组件为多个，多个热电偶组件沿衬底的周向分布。本实用新型有效地解决了现有技术中热电堆芯片的红外吸收效率较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214411204U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202022807782.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。
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公开(公告)号：CN213752715U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202022333807.0
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。
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公开(公告)号：CN211957687U
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202020762459.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 涉及集成电路技术领域，本申请公开一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶，支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴，热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层，凹槽设置两个，且两个凹槽分别位于所述空穴的相对两侧，衬底厚度在20μm至30μm之间，所述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，氮化硅膜厚度5μm-10μm，所述红外吸收层为碳化的光刻胶层，热电偶中的一支半导体为多晶硅条，所述热电偶中的一支半导体为铝条，本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。
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公开(公告)号：CN210640256U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921741802.2
申请日：2019-10-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化镓功率器件；包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本实用新型的氮化镓功率器件采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209526089U
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201920556887.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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