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公开(公告)号：CN113140456A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010060417.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/739
Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。
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公开(公告)号：CN113078135A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010009743.0
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。
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公开(公告)号：CN112992836A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911275842.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
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公开(公告)号：CN112447532A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910820781.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。
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公开(公告)号：CN112216666A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081662A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911398441.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种芯片模块、电子模组及制备方法，一种芯片模块，包括：散热器、芯片和封装体；其中，散热器包括安装底座和散热部，安装底座具有安装面，散热部与安装底座背离安装面的表面连接；芯片固定安装于安装面，芯片远离安装面的表面具有多个电极，每个电极连接有引出部件；封装体包覆芯片和安装底座，其中，散热部延伸至封装体外，每个引出部件延伸至封装体外。上述芯片模块以散热器中安装底座作为芯片的载体，并利用封装体将芯片和安装底座封装为一个整体，芯片与散热器的安装底座之间始终保持良好的热接触，散热较好，且组装至电路板时操作简单快捷。
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公开(公告)号：CN110858574A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201810961402.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的封装结构，用以解决现有技术中存在IGBT芯片会由于底座的热膨胀系数大而发生翘曲，进而导致器件失效的问题。本发明中的超薄芯片的封装结构，在引线框架的芯片座上开设预定形状大小的芯片槽，在芯片槽内装配热膨胀系数小于芯片座的第一垫片，所述芯片焊接在第一垫片之上，且第一垫片与芯片之间电连接。如此，由于第一垫片的人膨胀系数小于引线框架，芯片与第一垫片的封装应力较为匹配，在温度发生变化时，第一垫片发生的翘曲会小于引线框架的翘曲，进而设置在第一垫片上的芯片的翘曲也会变小，故而由于封装应力不匹配而导致芯片内部晶胞损伤，的可能性便小，提高器件封装结构良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN110223924A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910636287.X
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装方法、晶圆级芯片封装单元和晶圆，本发明在对晶圆进行加工前直接在具有切割道的晶圆的表面覆盖树脂使树脂与切割道接触并高温硬化，在后续对晶圆进行加工过程中，晶圆受到其表面固化的树脂的保护，能够防止晶圆在加工过程中易破裂的问题。通过上述方法能够一次完成晶圆表面所有树脂的覆盖并高温硬化，缩短了生产周期和降低成本。
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公开(公告)号：CN110021589A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910372425.8
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率组件以及电压转换方法。其中，该功率组件包括：驱动板、绝缘栅双极型晶体管以及弹簧电阻，其中，弹簧电阻的第一端与驱动板相连接，弹簧电阻的第二端与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连接。本发明解决了现有的功率组件中绝缘栅双极型晶体管与弹簧通过邦定线连接，导致功率组件体积大的技术问题。
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公开(公告)号：CN212033002U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020379927.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉。本实用新型还提供了一种具有上述导热焊盘的QFN封装结构，本实用新型的QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构，在焊盘部设置有凹槽，该凹槽能够为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，降低散热焊盘的焊点空洞问题。
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