公开(公告)号：CN101360846B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780001610.1

申请日：2007-03-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 佐竹宏次 ,  坂井智嗣 ,  弥政敦洋 ,  渡边俊哉 ,  山越英男 ,  茂中俊明

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32541 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。

公开(公告)号：CN102176487A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110079917.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN102124570A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980132390.5

申请日：2009-08-11

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 小林靖之 ,  坂井智嗣 ,  吴屋真之

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供通过使基板侧的透明电极层、中间层及背面侧的电极层的结构最优化来增大取出电流的光电转换装置。光电转换装置(100)的特征在于，在基板(1)上至少具备透明电极层(2)、光电转换层(3)和背面电极层(4)，所述透明电极层(2)的设有所述光电转换层(3)一侧的表面具备山部(2a)和在该山部(2a)的表面设置的微小凹凸部(2b)，凹凸结构的间距为1.2μm以上且1.6μm以下，所述山部(2a)的高度为0.2μm以上且0.8μm以下，所述微小凹凸部(2b)中的凸部的间距为0.05μm以上且0.14μm以下，所述凸部的高度为0.02μm以上且0.1μm以下。

公开(公告)号：CN102105992A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128959.0

申请日：2009-08-18

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  竹内良昭

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序，其特征在于，形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。

公开(公告)号：CN101796649A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200780100277.X

申请日：2007-09-18

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 山下信树 ,  渡边俊哉 ,  坂井智嗣 ,  中野要治

IPC: H01L31/042 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法，所述光电转换装置使用将电阻率和透射率的关系最优化的透明电极，实现稳定的高光电转换效率。其中，至少一个透明电极(12，16)为不含有Ga的ZnO层，或者为添加有Ga且上述Ga的添加量相对于上述ZnO层中的Zn为5原子％以下的ZnO层，并且上述ZnO层通过使用添加有氧的稀有气体作为溅射气体的溅射法而形成，上述溅射气体中的上述氧的添加量相对于该氧与上述稀有气体的合计体积为0.1体积％以上、5体积％以下。

公开(公告)号：CN101779295A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200980100161.5

申请日：2009-01-09

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  浅原裕司 ,  小林靖之 ,  森匡史 ,  鹤我薰典 ,  山下信树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种转换装置及其制造方法，通过将背面结构的表面形状最适宜化，提高发电层的光吸收特性。光电转换装置(100)在基板(1)上从基板(1)侧依次具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、背面电极层(4)，其特征在于，背面电极层(4)具备银薄膜，第二透明电极层(6)的背面电极层(4)侧的表面具有微细的凹凸形状，相对于表面的投影面积的表面积增加率为10％以上32％以下。以及，光电转换装置(100)在基板(1)上从基板(1)侧依次具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、背面电极层(4)，其特征在于，背面电极层(4)具备银薄膜，第二透明电极层(6)的背面电极层(4)侧的表面具有微细的凹凸形状，第二透明电极层(6)具有针状晶体。

公开(公告)号：CN101779294A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200980100131.4

申请日：2009-01-07

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 吴屋真之 ,  笹川英四郎 ,  真岛浩 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。

公开(公告)号：CN101568821A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047527.8

申请日：2007-10-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  津村阳一郎 ,  饭田政巳 ,  川添浩平

IPC: G01N21/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/8914 ,  G01N21/65 ,  G01N21/8422 ,  H01L22/12

Abstract: 一种膜质评价方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统，以在使作业员的负担减轻的同时使制造效率提升为目的。对薄膜硅系设备所使用的结晶质硅膜照射光，检测由结晶质硅膜反射的反射光，对检测出的反射光的辉度的参数进行计测，并根据该辉度的参数是否在预先设定的适当范围内来进行该结晶质硅膜的膜质评价。

公开(公告)号：CN101568797A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047754.0

申请日：2007-10-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  饭田政巳 ,  川添浩平

IPC: G01B11/06

CPC classification number: G01B11/0633 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/303

Abstract: 本发明以降低膜厚的计测误差为目的。对将膜质状态及膜厚不同的薄膜形成于基板上的多个样本照射不同波长的照明光，分别计测与照射各波长的照明光时的透射光的光量相关的评价值，基于该计测结果，对每个波长作成表示各膜质状态中膜厚和评价值的相关关系的膜厚特性，在各膜厚特性中选择由膜质状态引起的评价值的计测差在规定范围内的波长。

公开(公告)号：CN101568796A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047607.3

申请日：2007-10-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  津村阳一郎 ,  饭田政巳 ,  川添浩平

IPC: G01B11/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/0625 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种膜厚计测方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统，其目的在于减轻作业员的负担，并且提高制造效率。通过线型照明器(3)，对在基板(W)上成膜的透明导电膜或透明光学膜照射直线照明光，并由摄像机检测由透明导电膜或透明光学膜反射的直线反射光，对检测出的反射光的色评价值进行计测，使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的色评价值对应的膜厚。