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公开(公告)号：CN1786747A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510131420.4
申请日：2005-12-12
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G02B5/02 , H01L31/0224 , H01L33/00 , H01L51/52 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133504 , G02F2202/16 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L2933/0091 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种光散射膜(2)具有这样的结构，即，将电信号传导到要求的位置并所述入射光，而且其表面基本上是平坦的；以及使用该光散射膜(2)的光电器件。光散射膜(2)包括：介质(6)，由透明导电材料构成；以及光散射物质(7)，嵌入该介质内。利用一个部件，光散射膜实现导电和光散射特性。不需要为了实现光散射特性而有意利用凹体和凸体使表面具有纹理。希望该表面基本上是平坦的。当在该表面上形成半导体层(3)时，抑制缺陷，因为该表面平坦。具有光散射膜和位于该膜的表面上的半导体器件的光电器件的光点变换效率高。
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公开(公告)号：CN102379044A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080015058.3
申请日：2010-05-06
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供具备使反射特性最优化的中间接触层的光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上具备在基板(1)的相反侧的表面具备凹凸结构的透明电极层(2)、由两个发电层(91、92)构成的光电转换层(3)、背面电极层(4)、设于两个发电层(91、92)之间的中间接触层(5)，中间接触层(5)从基板(1)侧起依次包含以氧化钛为主的氧化钛膜、和以透明导电性氧化物为主的背面侧透明导电膜，氧化钛膜的膜厚在由以下所示的区域的范围内：背面侧透明导电膜的膜厚为5nm时为65nm以上且110nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为10nm时为65nm以上且95nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为15nm时为65nm以上且90nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为20nm时为60nm以上85nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为25nm时为55nm以上且70nm以下；以及背面侧透明导电膜的膜厚为30nm时为55nm以上且65nm以下。
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公开(公告)号：CN101779293A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200980100102.8
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L21/02554 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0687 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，通过最优化透明导电层来提高光电转换装置的短路电流。该光电转换装置(100)在基板(1)上具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、及背面电极层(4)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，且在波长600nm以上1000nm以下的区域上的所述第二透明电极层(6)的光吸收率为1.5％以下。以及光电转换装置(100)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，由上述第二透明电极层(6)及上述背面电极层(4)所反射的光的反射率在波长600nm以上且1000nm以下的区域为91％以上。
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公开(公告)号：CN102165281B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980138578.0
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G01B11/06 , H01L21/205
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN101622719B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880006731.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/0463 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种能够以低成本获得更高性能的光电变换装置及其制造方法。具备被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层(93)的光电变换装置(90)，在所述中间层(93)表面上具有等离子体抗性保护层(93A)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1786747B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510131420.4
申请日：2005-12-12
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G02B5/02 , H01L31/0224 , H01L33/00 , H01L51/52 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133504 , G02F2202/16 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L2933/0091 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种光散射膜(2)具有这样的结构，即，将电信号传导到要求的位置并所述入射光，而且其表面基本上是平坦的；以及使用该光散射膜(2)的光电器件。光散射膜(2)包括：介质(6)，由透明导电材料构成；以及光散射物质(7)，嵌入该介质内。利用一个部件，光散射膜实现导电和光散射特性。不需要为了实现光散射特性而有意利用凹体和凸体使表面具有纹理。希望该表面基本上是平坦的。当在该表面上形成半导体层(3)时，抑制缺陷，因为该表面平坦。具有光散射膜和位于该膜的表面上的半导体器件的光电器件的光点变换效率高。
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公开(公告)号：CN1767216A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510009428.3
申请日：2005-02-16
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电转换装置，包括衬底(1)、用来覆盖该衬底(1)的下电极层(2)、和形成在该下电极层(2)上的第一半导体层(3)。该下电极层(2)包括由透明导电材料制成的第一基体(6)和嵌在该第一基体(6)内的光散射颗粒(7)。
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公开(公告)号：CN101981431B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980111369.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/3563 , G01N21/55 , G01N21/8422 , G01R31/2831 , H01L31/1884 , Y10T29/53126
Abstract: 以非破坏、非接触、高效率且高精度计测透明导电膜的电阻率为目的。提供一种电阻率检查装置，具备：光照射装置(3)，其将具有通过事先进行的检查条件选定方法选定的波长的P偏振光的照明光以通过该方法选定的入射角对在制造生产线上输送的透光性基板上成膜的透明导电膜从膜面侧进行照射；光检测装置(2)，其检测在透明导电膜反射的反射光；信息处理装置(7)，其基于检测到的光的强度，算出与该波长有关的反射光的光量的评价值，使用将评价值与电阻率预先建立关联的相关特性，由算出的所述评价值求出电阻率。
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公开(公告)号：CN102165281A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138578.0
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G01B11/06 , H01L21/205
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN102113129A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130494.2
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1812 , H01L31/046 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种用于获得高的转换效率的三层型光电转换装置的适当的膜厚构成。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上具备透明电极层(2)、层叠有三层具有pin结的电池层(91、92、93)的光电转换层(3)、及背面电极层(4)，其中，设置于光的入射侧的入射部的电池层(91)具有膜厚为100nm以上且200nm以下的非晶质硅i层，相对于光的入射侧设置于相反侧的底部的电池层(93)具有膜厚为700nm以上且1600nm以下的晶质硅锗i层，晶质硅锗i层中的锗原子相对于锗原子和硅原子之和的比例为15原子％以上且25原子％以下，设置于入射部的电池层(91)和底部的电池层(93)之间的中间部的电池层(92)具有膜厚为1000nm以上且2000nm以下的晶质硅i层。
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