公开(公告)号：CN101360846A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001610.1

申请日：2007-03-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 佐竹宏次 ,  坂井智嗣 ,  弥政敦洋 ,  渡边俊哉 ,  山越英男 ,  茂中俊明

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32541 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。

公开(公告)号：CN101360846B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780001610.1

申请日：2007-03-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 佐竹宏次 ,  坂井智嗣 ,  弥政敦洋 ,  渡边俊哉 ,  山越英男 ,  茂中俊明

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32541 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。