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公开(公告)号：CN101779293A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200980100102.8
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L21/02554 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0687 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，通过最优化透明导电层来提高光电转换装置的短路电流。该光电转换装置(100)在基板(1)上具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、及背面电极层(4)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，且在波长600nm以上1000nm以下的区域上的所述第二透明电极层(6)的光吸收率为1.5％以下。以及光电转换装置(100)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，由上述第二透明电极层(6)及上述背面电极层(4)所反射的光的反射率在波长600nm以上且1000nm以下的区域为91％以上。
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公开(公告)号：CN1770479A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113841.4
申请日：2005-10-19
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/077 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种串联薄膜太阳能电池，所述串联薄膜太阳能电池包括：第一导电层(20)，形成于透明衬底(10)上；第一太阳能电池层(150)，形成于所述第一导电层(20)上；和第二太阳能电池层(200)，覆盖所述第一太阳能电池层(150)。所述第一导电层(20)具有表面不平整性，所述表面不平整性的间距在0.2到2.5μm的范围，且所述表面不平整性的幅度在所述表面不平整性的间距的四分之一到一半的范围内。
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公开(公告)号：CN101796649A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200780100277.X
申请日：2007-09-18
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042 , C23C14/08 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/0036 , C23C14/086 , H01L31/022483 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法，所述光电转换装置使用将电阻率和透射率的关系最优化的透明电极，实现稳定的高光电转换效率。其中，至少一个透明电极(12，16)为不含有Ga的ZnO层，或者为添加有Ga且上述Ga的添加量相对于上述ZnO层中的Zn为5原子％以下的ZnO层，并且上述ZnO层通过使用添加有氧的稀有气体作为溅射气体的溅射法而形成，上述溅射气体中的上述氧的添加量相对于该氧与上述稀有气体的合计体积为0.1体积％以上、5体积％以下。
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公开(公告)号：CN101779295A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200980100161.5
申请日：2009-01-09
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/056 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种转换装置及其制造方法，通过将背面结构的表面形状最适宜化，提高发电层的光吸收特性。光电转换装置(100)在基板(1)上从基板(1)侧依次具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、背面电极层(4)，其特征在于，背面电极层(4)具备银薄膜，第二透明电极层(6)的背面电极层(4)侧的表面具有微细的凹凸形状，相对于表面的投影面积的表面积增加率为10％以上32％以下。以及，光电转换装置(100)在基板(1)上从基板(1)侧依次具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、背面电极层(4)，其特征在于，背面电极层(4)具备银薄膜，第二透明电极层(6)的背面电极层(4)侧的表面具有微细的凹凸形状，第二透明电极层(6)具有针状晶体。
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公开(公告)号：CN1763977A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510118118.5
申请日：2005-10-20
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/077 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1763977B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200510118118.5
申请日：2005-10-20
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/077 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。
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公开(公告)号：CN102270676A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110077712.X
申请日：2005-10-20
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/077 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。
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公开(公告)号：CN1638153A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003971.2
申请日：2005-01-05
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子％。
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公开(公告)号：CN102414842A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018506.5
申请日：2010-06-23
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/54
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0036 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种制造通过抑制可见光短波长区域的光吸收而具有高的光电转换效率的光电转换装置的方法。该光电转换装置(100)的制造方法，在基板(1)上形成基板侧透明电极层(2)的工序、在邻接的两个电池层(91、92)之间形成中间接触层(5)的工序、及、在光电转换层(3)上形成背面侧透明电极层(6)的工序中，作为基板侧透明电极层(2)、中间接触层(5)、及背面侧透明电极层(6)，控制N2气体分压来制膜以掺杂了Ga的ZnO为主的透明导电膜，以使透明导电膜每单位膜厚的N2气体分压相对惰性气体分压之比在规定值以下。
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公开(公告)号：CN102341915A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010026.4
申请日：2010-02-25
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: C23C14/185 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供激光蚀刻容易且具有高的发电效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包括在基板(1)上形成2个光电转换层(3)和背面电极层(4)的工序，该光电转换装置(100)的制造方法中，所述背面电极层形成工序包括背面透明电极层形成工序和Cu薄膜形成工序，所述Cu薄膜形成工序依次包括排气工序和成膜工序，所述排气工序的到达压力为2×10-4Pa以下，所述成膜工序的温度为120℃以上且240℃以下。
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