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公开(公告)号：CN112192054A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010086674.3
申请日：2020-02-11
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/382
Abstract: 激光加工方法包括：向由耐热合金构成的金属层和由隔热涂层构成的保护层层叠而成的被加工件照射短脉冲激光即第一激光以形成贯通金属层的贯通孔的工序(S1)、以及向被加工件照射激光以扩宽贯通孔的工序(S2)。
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公开(公告)号：CN106163726A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580017448.7
申请日：2015-01-26
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/08 , B23K26/32 , B23K26/34 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K26/21 , B23K26/062 , B23K26/082 , B23K26/0622
Abstract: 本发明提供一种更加小型且能够进行高精度加工的加工装置和加工方法。加工装置对被加工部件照射激光，从而对被加工部件进行加工，具有：激光输出装置，其具有输出波长在1070nm以下的激光的多个垂直腔面发射激光器元件、和表面上呈矩阵状地排列有多个垂直腔面发射激光器元件的基板；引导光学系统，其引导从激光输出装置输出的激光；以及控制装置，其控制激光输出装置的输出功率。
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公开(公告)号：CN104203483B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201380011549.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0652 , B23K26/0869 , B29C59/16 , C04B41/0036
Abstract: 本发明提供一种加工装置、加工单元及加工方法。本发明的加工装置(10)向被加工部件(8)照射激光，来对被加工部件(8)进行切割或钻孔加工，其具有：激光输出装置(12)；引导激光的引导光学系统(14)；及引导激光来向被加工部件(8)照射的照射头(16)，其中，照射头(16)通过旋转机构使第一棱镜(52)和第二棱镜(54)一体旋转，从而使激光光路绕旋转机构的旋转轴旋转，使照射位置旋转的同时照射被加工部件(8)，控制装置(22)根据被加工部件(8)的再熔融层的容许厚度与转速之间的关系或者被加工部件的氧化层的容许厚度与转速之间的关系，计算激光的容许转速范围，将包含在容许转速范围的转速确定为旋转机构的转速，使旋转机构以确定的转速旋转，由此能够以简单的结构进行高精度的加工。
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公开(公告)号：CN104203483A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380011549.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/073 , B23K26/08 , B23K26/38
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0652 , B23K26/0869 , B29C59/16 , C04B41/0036
Abstract: 本发明提供一种加工装置、加工单元及加工方法。本发明的加工装置(10)向被加工部件(8)照射激光，来对被加工部件(8)进行切割或钻孔加工，其具有：激光输出装置(12)；引导激光的引导光学系统(14)；及引导激光来向被加工部件(8)照射的照射头(16)，其中，照射头(16)通过旋转机构使第一棱镜(52)和第二棱镜(54)一体旋转，从而使激光光路绕旋转机构的旋转轴旋转，使照射位置旋转的同时照射被加工部件(8)，控制装置(22)根据被加工部件(8)的再熔融层的容许厚度与转速之间的关系或者被加工部件的氧化层的容许厚度与转速之间的关系，计算激光的容许转速范围，将包含在容许转速范围的转速确定为旋转机构的转速，使旋转机构以确定的转速旋转，由此能够以简单的结构进行高精度的加工。
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公开(公告)号：CN101395721A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007262.9
申请日：2007-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105473273B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201580001583.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/388 , B23K26/064
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法及激光加工装置。本发明的激光加工方法使用激光加工头对加工对象物(100)进行加工，所述激光加工头对在金属层(102)上层叠有保护层(104)的加工对象物(100)至少照射短脉冲激光(L2)，所述激光加工方法能够通过短脉冲激光加工工序和金属层加工工序以高品质且高精度进行加工，所述短脉冲激光加工工序对保护层(104)照射短脉冲激光(L2)，并切削所述保护层(104)，所述金属层加工工序对在短脉冲激光加工工序中已切削的区域的金属层(102)进行切削。
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公开(公告)号：CN105636738B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201480056919.0
申请日：2014-02-26
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/064
CPC classification number: B23K26/0665 , B23K26/0608 , B23K26/0648 , B23K26/0652 , B23K26/0676
Abstract: 为了使波段不同的激光的焦点位置一致，激光加工装置具备：激光输出装置，振荡具有多个波段的激光；分光部(16B)，对各波段的激光分别进行分光；以及聚光部(16C、16C)，将由所述分光部(16B)分光了的激光分别独立地聚光并使焦点对合于同一位置。
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公开(公告)号：CN105008086B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380073713.4
申请日：2013-11-22
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/064 , B23K26/00 , B23K26/082 , B23K26/21 , B23K26/38
CPC classification number: B23K26/0652 , B23K26/082 , B23K26/36 , B23K26/38
Abstract: 提供一种简单的结构且能够进行更高精度的加工的加工装置及加工方法。加工装置具有照射头(16)和控制装置，照射头(16)具有激光回转部(35)和聚光光学系统(37)，激光回转部(35)具有第一棱镜(51)、第二棱镜(52)、第一旋转机构(53)、第二旋转机构(54)。控制装置至少基于被加工构件的热影响层与激光的回转速度之间的关系来调整第一棱镜(51)及第二棱镜(52)的转速和相位角之差。
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公开(公告)号：CN105473273A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201580001583.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K26/388 , B23K26/064
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法及激光加工装置。本发明的激光加工方法使用激光加工头对加工对象物(100)进行加工，所述激光加工头对在金属层(102)上层叠有保护层(104)的加工对象物(100)至少照射短脉冲激光(L2)，所述激光加工方法能够通过短脉冲激光加工工序和金属层加工工序以高品质且高精度进行加工，所述短脉冲激光加工工序对保护层(104)照射短脉冲激光(L2)，并切削所述保护层(104)，所述金属层加工工序对在短脉冲激光加工工序中已切削的区域的金属层(102)进行切削。
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公开(公告)号：CN101755340B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200880025511.1
申请日：2008-12-05
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/028 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。
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