公开(公告)号：CN101346800A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048612.1

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/08 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0652 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0838 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/0892 ,  B23K26/1438 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 提供一种激光辐射设备，其具有激光振荡器，铰接的光束传播器，其中多个管道在铰接部分中互相连接，以及在该铰接部分中的激光束的线路改变装置。该多个管道中的至少一个管道包括用于抑制激光束在每个管道中的传播方向上的摆动的传递透镜。该铰接部分产生激光振荡器的设置的自由度，并且该传递透镜能够抑制光束轮廓的变化。

公开(公告)号：CN100449683C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410079131.X

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  森若智昭 ,  山本良明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/477 ,  B23K26/00 ,  G02F1/35

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K2101/40

Abstract: 本发明的目的是提供一种激光辐射装置、一种激光辐射方法和用能抑制激光束的能量分布的激光辐射方法制造半导体器件的方法。本发明提供包含振荡激光束的激光振荡器的激光辐射装置、具有多个光学系统的透镜组、用于控制透镜组的位置，以便于与脉冲激光束的多个第一脉冲的振荡相同步地从多个光学系统中选择至少两个光学系统的位置控制装置，其中所选择的多个光学系统形成了具有相互倒置或旋转的空间能量分布的多个脉冲。

公开(公告)号：CN1822351A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510138045.6

申请日：2005-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山本良明 ,  田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  大柄根大辅 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/84 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/285 ,  H01Q23/00 ,  Y10S438/982 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。

公开(公告)号：CN1716575A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078881.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  矶部敦生 ,  冈崎奖 ,  田中幸一郎 ,  山本良明 ,  大力浩二 ,  田村友子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。

公开(公告)号：CN1691293A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510066914.9

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0821 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光照射设备，其能够用具有均匀能量密度的激光束照射照射物体，而不使光学系统变复杂。本发明的激光照射设备，包括：激光振荡器；光学系统，用于在照射物体的表面之上在单轴方向上重复地扫描自激光振荡器发出的激光束的束斑；以及定位控制装置，用于在与单轴方向垂直的方向上相对于激光束移动照射物体的位置。

公开(公告)号：CN1638040A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410081684.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  G02F1/37 ,  G02B27/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757

Abstract: 即使适当地对光束点自身的能源分布进行整形以在相同条件下执行激光照射，然而供应给被照射物面中的能源也会产生(激光照射的)不均匀。另外，如果在这种照射能源不均匀的情况下晶化半导体膜以形成晶质半导体膜，就会在该膜内产生结晶性的不均匀，从而使利用该膜制成的半导体元件产生特性的不均匀。在本发明中，当对设置或形成在衬底上的被照射物照射激光束时，将该激光束的脉宽设定为psec(10－12sec)左右，或者照射短于此的极短脉冲的激光束。