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公开(公告)号：CN118102525A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410097869.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/28 , G06F1/16 , G09F9/30 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/18 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K77/10 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/18
Abstract: 本公开的发明名称是“显示面板、显示装置、显示模块、电子设备及显示面板的制造方法”。抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。公共电极具有隔着第一公共层及第一发光层与第一像素电极重叠的部分、隔着第一公共层及第二发光层与第二像素电极重叠的部分、隔着第二公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。
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公开(公告)号：CN1934707B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200580009341.4
申请日：2005-03-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H05K3/20
Abstract: 还没有提出一种用于分开通过具有新颖性结构的薄膜形成的集成电路的方法或者将集成电路移置到另一底层的方法，也就是移置方法。根据本发明，在隔离通过释放层形成在衬底上具有新颖性结构的薄膜的集成电路的情况下，在固定薄膜集成电路的状态中去除释放层，将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的支撑衬底，并移置薄膜集成电路。
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公开(公告)号：CN1767707B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200510099447.X
申请日：2001-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
Abstract: 提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外，阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中，EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧，由此象素的有效发光面积显著增强。
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公开(公告)号：CN101577271B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910147514.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制作方法本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN102354067A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110293254.3
申请日：2004-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/13357 , G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , G02F2001/13613 , H01L27/14678 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592
Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1873932B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200610087709.5
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/13 , H01L21/7813 , H01L27/1266 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供了低成本、高可靠性的薄的半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。在衬底上方依次形成剥离层、晶体管和绝缘层；形成开口以暴露出剥离层的至少一部分；并且通过物理方法从衬底上剥离该晶体管。剥离层通过使用溶液的方法形成金属膜和与该金属膜接触的金属氧化物膜来形成。
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公开(公告)号：CN1893003B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610101323.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H05K3/00 , G06K19/077
CPC classification number: H05K3/205 , H01L2224/11 , H01L2924/12044 , H05K3/245 , H05K2203/0117 , Y10T29/49016 , Y10T29/49018 , Y10T29/49117 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49224 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供一种以简单工艺且低成本制造布线衬底和半导体装置的方法，而不用进行多次的复杂的步骤。再者，本发明旨在提供一种低成本且不太影响环境的布线衬底的制造方法以及使用了该布线衬底的半导体装置的制造方法。本发明的技术方案如下：在第一衬底上形成由导电材料构成的图形；通过进行电镀处理而在所述图形上形成导电膜；分离所述图形和所述导电膜；在第二衬底上形成具有薄膜晶体管的IC芯片；将所述导电膜电连接于IC芯片。
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公开(公告)号：CN100585867C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510108891.3
申请日：2005-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14692
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。
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公开(公告)号：CN101615593A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910161414.1
申请日：2003-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/68368
Abstract: 本申请为半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法。试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。
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公开(公告)号：CN100568268C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200310123568.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008
Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
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