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公开(公告)号：CN102265416B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980152400.1
申请日：2009-12-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。
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公开(公告)号：CN102194955B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010275293.6
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
Abstract: 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。
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公开(公告)号：CN103474560A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310394899.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN103311393A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
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公开(公告)号：CN102157648B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010275566.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800770A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210048490.3
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/48
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、氮化物半导体层以及形成氮化物半导体层的方法。根据实施例，一种半导体发光器件包括基础层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层。所述基础层具有不平坦部，所述不平坦部具有凹部、侧部和凸部。所述基础层的第一主表面具有覆盖区。所述基础层具有多个位错，所述位错包括其一端到达所述凹部的第一位错和其一端到达所述凸部的第二位错。到达所述第一主表面的所述第二位错的数目对所有所述第二位错的数目的比例小于到达所述第一主表面的所述第一位错的数目对所有所述第一位错的数目的比例。到达所述第一主表面的所述覆盖区的位错的数目小于所有所述第一位错的数目。
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公开(公告)号：CN102668138A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980163090.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。
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公开(公告)号：CN102403429A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110051219.0
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光装置。实施方式的发光装置具备：发出波长380nm～470nm的光的发光元件；在该发光元件上配置的CASN系第一红色荧光体；在该发光元件上配置的塞隆系第二红色荧光体；和在该发光元件上配置的塞隆系绿色荧光体。
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公开(公告)号：CN102265416A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152400.1
申请日：2009-12-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。
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公开(公告)号：CN102194955A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275293.6
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
Abstract: 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。
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