公开(公告)号：CN103137821A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310075837.8

申请日：2009-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村本卫司 ,  布上真也

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

公开(公告)号：CN102326265B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200980157138.X

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村本卫司 ,  布上真也 ,  冈俊行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体发光器件包括：多层结构(1s)，其包括第一半导体层(1)、第二半导体层(2)以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层(3)；第一电极(7)；第二电极(4o)；第三电极(4s)；以及第四电极(4p)。所述第一电极被电连接到所述第一半导体层。所述第二电极与所述第二半导体层形成欧姆接触且透射从所述发光层发射的光。所述第三电极贯穿所述第二电极并电连接到所述第二电极以与所述第二半导体层形成肖特基接触。所述第四电极被形成在所述第三电极的与所述第二半导体层相反的一侧上，并且沿所述多层结构的层叠方向观察时所述第四电极的形状与沿所述层叠方向观察时所述第三电极的形状相同。从而，提供了在提高电流注入效率的同时改善光提取效率的半导体发光器件。还公开了半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法。

公开(公告)号：CN102326265A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980157138.X

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村本卫司 ,  布上真也 ,  冈俊行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体发光器件包括：多层结构(1s)，其包括第一半导体层(1)、第二半导体层(2)以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层(3)；第一电极(7)；第二电极(4o)；第三电极(4s)；以及第四电极(4p)。所述第一电极被电连接到所述第一半导体层。所述第二电极与所述第二半导体层形成欧姆接触且透射从所述发光层发射的光。所述第三电极贯穿所述第二电极并电连接到所述第二电极以与所述第二半导体层形成肖特基接触。所述第四电极被形成在所述第三电极的与所述第二半导体层相反的一侧上，并且沿所述多层结构的层叠方向观察时所述第四电极的形状与沿所述层叠方向观察时所述第三电极的形状相同。从而，提供了在提高电流注入效率的同时改善光提取效率的半导体发光器件。还公开了半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法。

公开(公告)号：CN102265416B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980152400.1

申请日：2009-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村本卫司 ,  布上真也

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

公开(公告)号：CN102265416A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152400.1

申请日：2009-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村本卫司 ,  布上真也

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

公开(公告)号：CN302737523S

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201330423664.5

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Designer： 村本卫司

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：发光二极管芯片。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于将电能转换为光能进行发光，是一种固态的半导体器件。3．本外观设计产品的设计要点：各视图所示的形状及图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。5．指定基本设计：设计1。