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公开(公告)号：CN1445826A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119377.3
申请日：2003-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/04 , B24C1/003 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a)；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b)；接着，通过采用CO2鼓风装置(105)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物，和缓冲板(14)浸入纯水(104)，并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。
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公开(公告)号：CN117561589A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280043218.8
申请日：2022-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种耗材，其由石英和陶瓷中的任一材料形成，用于等离子体处理装置，上述耗材具有：由第一纯度的上述材料形成的芯部；和保护部，其设置在上述芯部的周围的、会因上述等离子体处理装置中的等离子体发生损耗的部分，由比上述第一纯度高的第二纯度的上述材料形成。
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公开(公告)号：CN115148571A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210275803.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 长山将之
Abstract: 本发明提供等离子体处理系统、输送臂和环状部件的输送方法，能够输送设置在处理基片的周边的环状部件。本发明的等离子体处理系统包括：处理腔室；配置于上述处理腔室内的基片支承台；环状部件，其配置在上述基片支承台的外缘部，具有与上述基片支承台接触的下表面、上述下表面的相反侧的上表面和将上述上表面与上述下表面之间连接的侧面；以及输送臂，其保持上述上表面或上述侧面，来对上述处理腔室送入或送出上述环状部件。
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公开(公告)号：CN112585302A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980052408.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 地方独立行政法人山口县产业技术研究院 , 下关镀金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C25D11/26 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种具有得到提高的耐电压性的阳极氧化钛材。阳极氧化钛材具备：钛母材以及设于钛母材的表面的阳极氧化钛层，阳极氧化钛层包含多孔质的第一阳极氧化钛层，所述阳极氧化钛材的25℃下的耐电压为500V以上，维氏硬度为200以上，膜厚为20μm以上且小于80μm，表面的算术平均粗糙度Ra小于1.6μm，表面的最大高度粗糙度Rz小于6.3μm，在第一阳极氧化钛层的与厚度方向垂直的剖面和表面中的任一者中，均未观察到具有能包含直径0.5μm以上的圆的形状的细孔剖面。
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公开(公告)号：CN110983227A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911269195.9
申请日：2017-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE-O-X)与稀土元素卤化物(REX3)的混晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102965610B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110462982.2
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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公开(公告)号：CN102931056B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210391650.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。
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公开(公告)号：CN102468106B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110353550.8
申请日：2011-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种通过抑制被处理基板的周缘部的温度上升，能够提高等离子体处理的面内均匀性，能够进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：处理腔室，能够将该处理腔室的内部气密地闭塞；处理气体供给机构，用于向处理腔室内供给处理气体；排气机构，用于从处理腔室内排气；等离子体生成机构，用于生成处理气体的等离子体；载置台，设于处理腔室内，且构成为将被处理基板和以围绕该被处理基板的周围的方式配置的聚焦环载置在同一平面上；调温机构，用于调节载置台的温度；静电吸盘，配置于载置台的上表面且具有延伸至聚焦环的下部的吸附用电极。
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公开(公告)号：CN103959447A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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公开(公告)号：CN102931056A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210391650.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。
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