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公开(公告)号：CN105428195A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510578768.1
申请日：2015-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/06 , C23C4/105 , C23C4/11 , C23C4/127 , C23C4/131 , C23C28/042
Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4％以下，该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。
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公开(公告)号：CN103959447B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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公开(公告)号：CN105428195B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510578768.1
申请日：2015-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/06 , C23C4/105 , C23C4/11 , C23C4/127 , C23C4/131 , C23C28/042
Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4％以下，该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。
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公开(公告)号：CN103959447A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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公开(公告)号：CN108070812B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711086205.6
申请日：2017-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE‑O‑X)与稀土元素卤化物(REX3)的混晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102420089B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110296183.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(160)的一个面铅垂地贯通的多个气孔，在沿着径向将电极板(160)分割成两个以上的区域中的各区域形成有不同类型的气孔。
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公开(公告)号：CN101173345B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200710167281.X
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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公开(公告)号：CN101950721A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010226907.1
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/263
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。
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公开(公告)号：CN104120409B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410328055.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
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公开(公告)号：CN102041487A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010509463.2
申请日：2010-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
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