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公开(公告)号：CN103959447B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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公开(公告)号：CN103959447A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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公开(公告)号：CN100595891C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200680028670.8
申请日：2006-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西野雅 , 道格拉斯·M·特瑞克凯特
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于低介电常数(低k)层中的特征刻蚀之后的衬底灰化的工艺。低k层可包括超低k材料或多孔低k材料。该工艺可被配置为去除刻蚀副产物，同时保留特征的临界尺寸。灰化工艺包括使用含氮和含氢的化学物质以及包括氧元素的钝化化学物质，例如O2、CO、或CO2或其任意组合。
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公开(公告)号：CN1290156C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN02816214.5
申请日：2002-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 北村彰规 , V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆 , 稻泽刚一郎 , 西野雅
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/265 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/31144
Abstract: 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。
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公开(公告)号：CN1543666A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02816214.5
申请日：2002-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 北村彰规 , V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆 , 稻泽刚一郎 , 西野雅
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/265 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/31144
Abstract: 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576453A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN100474527C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610148506.2
申请日：2006-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西野雅
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种对硬质掩模的蚀刻选择比高、能够抑制聚合体的附着和侧向腐蚀现象、并且抑制对多孔Low-k膜的损伤和表面粗糙程度的等离子体蚀刻方法。在等离子体处理装置(1)的处理室内，使用处理气体对被处理体进行等离子体蚀刻处理，其中，该被处理体具有被蚀刻膜和在该被蚀刻膜上层形成的多孔Low-k膜，该处理气体含有由碳和氟所构成的碳原子数在2以下的碳氟化合物和CO2，不含由碳、氟和氢所构成的氢氟烃化合物。
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公开(公告)号：CN101238551A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028670.8
申请日：2006-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西野雅 , 道格拉斯·M·特瑞克凯特
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于低介电常数(低k)层中的特征刻蚀之后的衬底灰化的工艺。低k层可包括超低k材料或多孔低k材料。该工艺可被配置为去除刻蚀副产物，同时保留特征的临界尺寸。灰化工艺包括使用含氮和含氢的化学物质以及包括氧元素的钝化化学物质，例如O2、CO、或CO2或其任意组合。
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公开(公告)号：CN1967786A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148506.2
申请日：2006-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西野雅
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种对硬质掩模的蚀刻选择比高、能够抑制聚合体的附着和侧向腐蚀现象、并且抑制对多孔Low－k膜的损伤和表面粗糙程度的等离子体蚀刻方法。在等离子体处理装置(1)的处理室内，使用处理气体对被处理体进行等离子体蚀刻处理，其中，该被处理体具有被蚀刻膜和在该被蚀刻膜上层形成的多孔Low－k膜，该处理气体含有由碳和氟所构成的碳原子数在2以下的碳氟化合物和CO2，不含由碳、氟和氢所构成的氢氟烃化合物。
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公开(公告)号：CN104576453B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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