公开(公告)号：CN103367424B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310100368.0

申请日：2013-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供化合物半导体及其制造方法。本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上界定元件区的元件隔离结构；形成在元件区上而不形成在元件隔离结构上的第一绝缘膜；至少形成在元件隔离结构上并且氢含量高于第一绝缘膜的氢含量的第二绝缘膜；以及通过第二绝缘膜形成在化合物半导体堆叠结构的元件区上的栅电极。

公开(公告)号：CN102456730B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN103229283B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

公开(公告)号：CN102569379B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110408970.1

申请日：2011-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  多木俊裕 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7839 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。

公开(公告)号：CN103022122B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210353262.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1475

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。公开一种化合物半导体器件，其中为均质的并且由单一材料(在这种情况下，SiN)构成并且因此具有均匀的介电常数的第一保护膜连续地覆盖化合物半导体层；作为由氧化物构成的第二保护膜的含氧保护部形成为覆盖形成于第一保护膜中的开口的一个边缘部分；以及栅电极形成为填充开口并且形成为其中包含第二保护膜。

公开(公告)号：CN102569377B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110402797.4

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金村雅仁 ,  吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件包括：化合物半导体层；第一膜，形成在化合物半导体层的上方，第一膜在与化合物半导体层的界面处处于带负电状态或非带电状态；第二膜，形成在第一膜的上方，第二膜在与第一膜的界面处处于带正电状态；以及栅极，被嵌入在第二膜中形成的开口中。

公开(公告)号：CN102651385B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201110451784.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  吉川俊英 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

Abstract: 将选自例如Fe、C、B、Ti、Cr中的至少一种杂质从化合物半导体叠层结构的背面引入化合物半导体叠层结构的至少一个缓冲层中，以使缓冲层的电阻值变高。

公开(公告)号：CN102487081B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110402775.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛豊生 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件及制造方法，该半导体器件包括：电子传输层，形成在衬底上方；电子供应层，形成在电子传输层上方；及覆盖层，形成在电子供应层上方。该覆盖层包括：包含GaN的第一化合物半导体层；包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在第一化合物半导体层上方；包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在第二化合物半导体层上方；及第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，第一包含AlGaN层形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大，第二包含AlGaN层形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大。本发明可抑制栅极漏电流和耐压降低、及/或可抑制电流崩塌。

公开(公告)号：CN103367426A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100377.X

申请日：2013-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H02M1/088 ,  H02M3/33507 ,  H02M3/33569 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN·HEMT，包括：化合物半导体层叠结构；形成在化合物半导体层叠结构上的p型半导体层；以及形成在p型半导体层上的栅电极，其中，将作为p-GaN的惰性元素的Mg引入到p型半导体层中的栅电极的两侧并且Mg的引入部分被钝化。

公开(公告)号：CN102651351A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210016429.0

申请日：2012-01-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  冈本圭史郎 ,  今泉延弘 ,  吉川俊英

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L29/778 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：具有电极的半导体芯片；与所述电极对应的引线；将所述电极耦接到所述引线的金属线；覆盖所述金属线与所述电极之间的耦接部分以及所述金属线与所述引线之间的耦接部分的第一树脂部分；和覆盖所述金属线、所述第一树脂部分和所述半导体芯片的第二树脂部分。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。