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公开(公告)号：CN101923890B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910052912.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。
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公开(公告)号：CN101359502B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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公开(公告)号：CN102237132A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167521.8
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体提供一种具有冗余阵列的存储器。该存储器通过采用阻变存储器阵列替代现有技术的熔丝阵列，用来存储该存储器的基本存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息以提高存储器的可靠性。因此，该存储器具有面积小、用来存储所述存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的存储器易于编程、并且易按比例缩小的特点。
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公开(公告)号：CN102237128A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010153437.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/403 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM(伪静态随机存储器)，属于动态随机存储器(DRAM)技术领域。该刷新操作方法利用增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线的特点，将所述增益单元存储阵列的其中一行的刷新操作与该增益单元存储阵列的其他任一行的外部访问操作并行进行；该PSRAM也对应包括刷新控制电路，所述刷新控制电路可操作地用于控制增益单元存储阵列中的一行的刷新操作与所述增益单元存储阵列的其他行的外部访问操作并行进行。该刷新操作方法大大提高了增益单元存储阵列的操作速度，使用该刷新操作方法的PSRAM具有操作速度快、与外部SRAM接口兼容的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101923890A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910052912.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。
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公开(公告)号：CN101118922B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710045407.6
申请日：2007-08-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为CuxO存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN101393769A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201662.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为tf的宽脉冲电信号，其脉宽tf大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值tc，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
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公开(公告)号：CN101359502A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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公开(公告)号：CN101339805A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810040933.8
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括两个相变存储单元和两个选通器件。两个相变存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的位线相连，共用同一根字线。其优点在于可以实现高读取速度的应用，并可防止存储操作时产生对选中单元的误读操作。
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