公开(公告)号：CN115089592A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210613303.5

申请日：2022-05-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  赵晓宇 ,  乔芮

IPC: A61K31/5377 ,  A61P31/14 ,  C12N5/077 ,  C12N5/09

Abstract: 本发明提供了一种多重酪氨酸激酶抑制剂（SU14813）在制备抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒（EV‑A71）药物中的应用。本发明还包括相应的SU14813药物组合、使用方法、SU14813试剂盒等。本发明的研究表明，SU14813能够有效的抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒的活性，SU14813治疗后RD细胞的病毒减少，并且SU14813对RD细胞中EV‑A71抑制作用呈现剂量依赖性。本发明从已上市药品中筛选具有抗EV‑A71病毒活性的药物，将节约药物筛选过程中有关药物代谢、药物安全和毒理等方面的研究费用，降低药物研发的风险，为EV‑A71感染疾病的对症治疗和新药开发提供新的思路和途径。

公开(公告)号：CN106202452B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201610555871.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 谢志鹏 ,  胡俊峰 ,  王鹏飞

IPC: G06F16/25 ,  G06F16/27 ,  G06F16/182 ,  G06F16/907 ,  G06F21/62

Abstract: 本发明属于大数据平台技术领域，具体涉及大数据平台的统一数据资源管理系统与方法。本发明针对大数据平台中由于存在各种不同类型的数据资源而导致的数据资源难以管理的问题，提出了针对不同类型数据资源的统一元数据描述，以及针对不同类型数据管理组件的统一适配器接口规范，并在此基础上设计了一种统一的数据资源管理方法和系统，支持统一的数据包上传和下载、统一的数据发现、统一的数据访问申请与授权等功能。本发明可实现系统的动态可扩展、多租户管理、以及统一的访问控制，便于用户管理和使用大数据平台中不同类型的数据资源。

公开(公告)号：CN104183651B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410402668.9

申请日：2014-08-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  黄泓帆 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。

公开(公告)号：CN103151383B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310072169.3

申请日：2013-03-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王玮 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管及其制备方法。本发明通过外延生长的方法在隧穿晶体管的锗化硅源区下面形成一层与锗化硅源区掺杂类型相反的高掺杂硅层，锗化硅相对于硅具有更窄的禁带宽度，因此可以提高源区和沟道区之间的能带弯曲程度，进而能够减小隧穿长度、提高隧穿效率。本发明所提出的具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管可以在不影响关断电流的情况下大幅度提高开启电流，降低亚阈值摆幅。

公开(公告)号：CN103208518B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310098165.2

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晓勇 ,  王鹏飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN104167450A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410403932.0

申请日：2014-08-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  黄泓帆 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。本发明的半浮栅功率器件结构简单，适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。

公开(公告)号：CN102543891B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210001549.3

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  曹成伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/8254

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制备方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，特别适用于基于柔性衬底的存储器器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。

公开(公告)号：CN103956338A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410175378.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  周炜超

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种集成U形沟道器件和鳍形沟道器件的集成电路及其制备方法。在半导体衬底内形成带有掺杂阱的沟槽隔离结构，掺杂阱上形成多晶硅牺牲栅极，并在其两侧分别形成源极和漏极，覆盖所形成的结构，淀积层间介质，抛光露出并蚀掉多晶硅牺牲栅极，通过光刻，在半导体衬底内形成U形沟道器件；再通过光刻，在半导体衬底内形成鳍形沟道结构，然后形成栅介质层和栅电极以形成鳍形沟道器件。本发明方法可在同一个芯片上集成鳍形沟道器件作为高性能器件并同时集成U形沟道器件作为低功耗器件，从而得到有很大形状差异的器件，获得小的关断电流和大的开启电流，提升芯片的性能。

公开(公告)号：CN102332395B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201110285019.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  李叶 ,  房润辰 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节约了成本。本发明同时将对栅氧和栅电极的刻蚀转化为对SiO2的刻蚀，降低了刻蚀工艺的难度，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN103579275A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310548645.4

申请日：2013-11-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于半导体感光器件技术领域，具体为一种半浮栅感光器件的制造方法。本发明通过自对准工艺，只需要一步光刻便可以形成半浮栅感光器件的浮栅和控制栅，工艺过程简单，易于控制；同时，本发明采用多晶锗化硅作为半浮栅感光器件的浮栅材料，多晶锗化硅浮栅和硅衬底形成异质结结构，p型多晶锗化硅的价带顶高于p型硅的价带顶，使空穴有选择的流向p型多晶锗化硅浮栅，有利于空穴在多晶锗化硅浮栅中的保存，提高浮栅中空穴数目的稳定性，进而可以稳定输出电流。