公开(公告)号：CN103956338A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410175378.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  周炜超

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种集成U形沟道器件和鳍形沟道器件的集成电路及其制备方法。在半导体衬底内形成带有掺杂阱的沟槽隔离结构，掺杂阱上形成多晶硅牺牲栅极，并在其两侧分别形成源极和漏极，覆盖所形成的结构，淀积层间介质，抛光露出并蚀掉多晶硅牺牲栅极，通过光刻，在半导体衬底内形成U形沟道器件；再通过光刻，在半导体衬底内形成鳍形沟道结构，然后形成栅介质层和栅电极以形成鳍形沟道器件。本发明方法可在同一个芯片上集成鳍形沟道器件作为高性能器件并同时集成U形沟道器件作为低功耗器件，从而得到有很大形状差异的器件，获得小的关断电流和大的开启电流，提升芯片的性能。

公开(公告)号：CN103956338B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410175378.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  周炜超

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种集成U形沟道器件和鳍形沟道器件的集成电路及其制备方法。在半导体衬底内形成带有掺杂阱的沟槽隔离结构，掺杂阱上形成多晶硅牺牲栅极，并在其两侧分别形成源极和漏极，覆盖所形成的结构，淀积层间介质，抛光露出并蚀掉多晶硅牺牲栅极，通过光刻，在半导体衬底内形成U形沟道器件；再通过光刻，在半导体衬底内形成鳍形沟道结构，然后形成栅介质层和栅电极以形成鳍形沟道器件。本发明方法可在同一个芯片上集成鳍形沟道器件作为高性能器件并同时集成U形沟道器件作为低功耗器件，从而得到有很大形状差异的器件，获得小的关断电流和大的开启电流，提升芯片的性能。