公开(公告)号：CN115084019A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210137928.9

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕惟皓 ,  舒丽丽 ,  郭建亿 ,  杨育佳 ,  李威养 ,  黄禹轩 ,  蔡庆威 ,  程冠伦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及背面源极/漏极接触件及其形成方法。一种半导体器件包括：器件层，该器件层包括：沟道区域；栅极堆叠，位于沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁之上并且沿着沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁；以及外延源极/漏极区域，与沟道区域相邻，其中，外延源极/漏极区域延伸穿过第一绝缘鳍。该半导体器件还包括：正面互连结构，位于器件层的第一侧上；以及背面互连结构，位于器件层的第二侧上，该器件层的第二侧与器件层的第一侧相对。背面互连结构包括与外延源极/漏极区域电连接的背面源极/漏极接触件。

公开(公告)号：CN114792656A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210065856.1

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄旺骏 ,  黄禹轩 ,  陈豪育 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构的形成方法包括经由基板的背侧移除栅极结构的一部分，以形成沟槽而将栅极结构隔离成两个部分。该方法还包括沉积牺牲材料于沟槽中，且牺牲材料顺应性地沿着沟槽的侧壁；将第一介电材料填入沟槽的其余部分；部分地移除牺牲材料，以保留开口于第一介电材料与栅极结构之间；以及将功函数金属填入开口。

公开(公告)号：CN113594250A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110733568.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄禹轩 ,  黄家恩 ,  蔡庆威 ,  程冠伦 ,  王奕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/112

Abstract: 本公开乃针对一种晶体管结构和一些方法，用于在共同基板上形成高电压纳米片晶体管及低电压环绕式栅极晶体管。此方法包括在基板上形成鳍式结构，具有第一纳米片层及第二纳米片层。此方法亦包括在鳍式结构上形成栅极结构，具有第一电介质及第一栅极电极，以及移除鳍式结构中未被栅极结构覆盖的部分。此方法还包括部分蚀刻第一纳米片层的暴露表面，以在鳍式结构的第一纳米片层形成凹入部分，并在凹入部分形成间隔物结构。此外，此方法包括将第一栅极电极置换为第二电介质及第二栅极电极，以及形成外延结构，邻接鳍式结构。

公开(公告)号：CN113299646A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110451678.1

申请日：2021-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王培宇 ,  黄禹轩

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 集成电路(IC)结构包括栅极结构、源极外延结构、漏极外延结构、前侧互连结构、背侧介电层、外延再生层和背侧通孔。源极外延结构和漏极外延结构分别位于栅极结构的相对侧上。前侧互连结构位于源极外延结构的前侧和漏极外延结构的前侧上方。背侧介电层位于源极外延结构的背侧和漏极外延结构的背侧上方。外延再生层位于源极外延结构和漏极外延结构中的第一个的背侧上。背侧通孔延伸穿过背侧介电层并且与外延再生层重叠。本申请的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。

公开(公告)号：CN113140546A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110283495.3

申请日：2021-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱奕勋 ,  蔡庆威 ,  黄禹轩 ,  庄正吉 ,  张尚文

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了在半导体器件的源极/漏极区和栅极结构上执行背侧蚀刻工艺的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的第一互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的第二互连结构，该第二互连结构包含：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层至第一晶体管结构的源极/漏极区的接触件；以及在接触件与第一介电层之间沿接触件侧壁的第一间隔件，面对第一介电层的该第一间隔件的侧壁与第一晶体管结构的源极/漏极区的侧壁对准。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109427775B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201711276307.4

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王柏钧 ,  江庭玮 ,  赖志明 ,  庄惠中 ,  杨荣展 ,  刘如淦 ,  张世明 ,  周雅琪 ,  林义雄 ,  黄禹轩 ,  张玉容 ,  吴国晖

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请的实施例提供了一种集成电路，包括半导体衬底、延伸到半导体衬底中的并且在半导体衬底的块状部分上面的隔离区、包括在隔离区中的部分的掩埋导电轨道、以及具有源极/漏极区和栅电极的晶体管。源极/漏极区或栅电极连接到掩埋导电轨道。本申请的实施例还提供了另一种集成电路以及形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN109427775A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711276307.4

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王柏钧 ,  江庭玮 ,  赖志明 ,  庄惠中 ,  杨荣展 ,  刘如淦 ,  张世明 ,  周雅琪 ,  林义雄 ,  黄禹轩 ,  张玉容 ,  吴国晖

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请的实施例提供了一种集成电路，包括半导体衬底、延伸到半导体衬底中的并且在半导体衬底的块状部分上面的隔离区、包括在隔离区中的部分的掩埋导电轨道、以及具有源极/漏极区和栅电极的晶体管。源极/漏极区或栅电极连接到掩埋导电轨道。本申请的实施例还提供了另一种集成电路以及形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN106206514B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510262838.2

申请日：2015-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 连万益 ,  邱奕勋 ,  游家权 ,  黄禹轩 ,  王志豪

IPC: H01L23/488

Abstract: 一种集成电路结构包括第一垂直晶体管和第二垂直晶体管。第一垂直晶体管包括第一半导体沟道、位于第一半导体沟道上方的第一顶部源极/漏极区以及覆盖第一顶部源极/漏极区的第一顶部源极/漏极焊盘。第二垂直晶体管包括第二半导体沟道、位于第二半导体沟道上方的第二顶部源极/漏极区以及覆盖第二顶部源极/漏极区的第二顶部源极/漏极焊盘。局部互连件互连第一顶部源极/漏极焊盘和第二顶部源极/漏极焊盘。第一顶部源极/漏极焊盘、第二顶部源极/漏极焊盘和局部互连件是连续区域的部分，在第一顶部源极/漏极焊盘、第二顶部源极/漏极焊盘和局部互连件之间没有可辨识的界面。本发明还涉及作为垂直晶体管的局部互连件的顶部金属焊盘。

公开(公告)号：CN222106723U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420356502.7

申请日：2024-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张尚文 ,  庄正吉 ,  蔡庆威 ,  邱奕勋 ,  黄禹轩

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L27/092 ,  H01L23/528

Abstract: 本实用新型提供一种半导体结构，包含第一垂直晶体管，其包含第一垂直半导体棒以及第一栅极介电质及第一栅极电极，环绕第一垂直半导体棒。第一垂直晶体管还包含第一源极/漏极区，位于第一垂直半导体棒的顶表面上方，以及第二源极/漏极区，接触第一垂直半导体棒的底表面。半导体结构还包含第一前侧电源线，位于第一垂直晶体管上方，以及第一后侧电源线，电性地连接至第一前侧电源线。第一后侧电源线位于第一垂直半导体棒下方，且第一后侧电源线连接至第二源极/漏极区。