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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427775B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201711276307.4
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本申请的实施例提供了一种集成电路，包括半导体衬底、延伸到半导体衬底中的并且在半导体衬底的块状部分上面的隔离区、包括在隔离区中的部分的掩埋导电轨道、以及具有源极/漏极区和栅电极的晶体管。源极/漏极区或栅电极连接到掩埋导电轨道。本申请的实施例还提供了另一种集成电路以及形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN111129014A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911055814.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092
Abstract: 一种集成电路包括第一主动区域、第二主动区域、第三主动区域、第一触点及第二触点。第一主动区域及第二主动区域在第一方向上彼此分离并且位于第一层上。第三主动区域位于第一层上并且在与第一方向不同的第二方向上与第二主动区域分离。第一触点在第二方向上延伸、重叠第一主动区域、并且位于与第一层不同的第二层上。第二触点在第一方向及第二方向上延伸、重叠第一触点及第三主动区域、电气耦接到第一触点、并且位于与第一层及第二层不同的第三层上。
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公开(公告)号：CN109427775A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711276307.4
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本申请的实施例提供了一种集成电路，包括半导体衬底、延伸到半导体衬底中的并且在半导体衬底的块状部分上面的隔离区、包括在隔离区中的部分的掩埋导电轨道、以及具有源极/漏极区和栅电极的晶体管。源极/漏极区或栅电极连接到掩埋导电轨道。本申请的实施例还提供了另一种集成电路以及形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN109920788A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811112150.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种集成电路包括位于衬底中的有源区组、第一组导电结构、浅沟槽隔离(STI)区、栅极组和第一组通孔。有源区组在第一方向上延伸并且位于第一层级上。第一组导电结构和STI区至少在第一方向或第二方向上延伸、位于第一层级上、并且位于有源区组之间。STI区位于有源区组与第一组导电结构之间。栅极组在第二方向上延伸并与第一组导电结构重叠。第一组通孔将第一组导电结构连接至栅极组。本发明的实施例还提供了集成电路的形成方法。
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公开(公告)号：CN109920788B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201811112150.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种集成电路包括位于衬底中的有源区组、第一组导电结构、浅沟槽隔离(STI)区、栅极组和第一组通孔。有源区组在第一方向上延伸并且位于第一层级上。第一组导电结构和STI区至少在第一方向或第二方向上延伸、位于第一层级上、并且位于有源区组之间。STI区位于有源区组与第一组导电结构之间。栅极组在第二方向上延伸并与第一组导电结构重叠。第一组通孔将第一组导电结构连接至栅极组。本发明的实施例还提供了集成电路的形成方法。
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