公开(公告)号：CN119469937A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411845581.9

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张全震 ,  黄元 ,  王业亮 ,  张腾 ,  詹凌涛 ,  杨慧霞

IPC: G01N1/22 ,  G01N1/42

Abstract: 本申请实施例提出一种用于高原热泉的地下气体收集装置，包括气体收集部、气体冷却部和气体储存部，所述气体收集部用于收集地下气体，并经由所述气体冷却部冷却后，储存至所述气体储存部内，所述气体冷却部由耐高温耐腐蚀材料制成，所述气体冷却部的冷却段呈螺旋状。本申请实施例提供的地下气体收集装置，通过采用由由耐高温耐腐蚀材料制成且呈螺旋状的气体冷却部，从而能够提高地下气体收集装置在高原极端环境下的耐腐蚀性和耐高温性，确保气体收集过程的安全性和可靠性。

公开(公告)号：CN119045662A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411147050.2

申请日：2024-08-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李宇涛 ,  王业亮 ,  慎浩远

IPC: G06F3/01 ,  G06F21/62 ,  G06F40/151 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 本申请实施例提供一种手语识别系统，包括：手语信息采集模块，可穿戴于手部，以用于采集手语信息；手语信息识别模块，用于识别所采集的手语信息；和自然语言处理模块，用于将所识别的手语信息转换成文字。本申请实施例提供的手语识别系统能够实时地捕捉手部动作，实现高精度的手语识别。本申请实施例还提供一种可穿戴手套。

公开(公告)号：CN115992346B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202310121914.2

申请日：2023-02-16

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 武旭 ,  胡世昊 ,  胡亘宇 ,  王宇森 ,  许自强 ,  邵岩 ,  王业亮

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。

公开(公告)号：CN118380327A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410370638.8

申请日：2024-03-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 黄元 ,  韩旭 ,  戴贇贇 ,  王业亮

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/683

Abstract: 本申请实施例提出一种金属电极的转移方法，包括：步骤S1：在所述电极图案上蒸镀金属，并进行脱附处理，得到金属电极部，所述金属电极部包括基底，所述金属电极形成在所述基底上；步骤S2：在所述金属电极表面旋涂有机溶液，并进行烘干处理，形成有机薄膜层；步骤S3：在所述有机薄膜层上方覆盖支撑层，并进行蒸汽处理；步骤S4：从所述金属电极部上分离所述基底，并将所述金属电极部转移至目标基底上；和步骤S5：将所述有机薄膜层和所述支撑层进行脱附处理。本发明实施例提供的一种金属电极的转移方法能够简单高效、无污染且大尺寸地转移金属电极。

公开(公告)号：CN118239846A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410330027.0

申请日：2024-03-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张腾 ,  郝小雨 ,  王业亮 ,  刘立巍 ,  张全震 ,  杨惠霞 ,  王婷婷 ,  李燕

IPC: C07C209/60 ,  C07C211/54 ,  C07D493/06 ,  C01B32/154 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/46 ,  C23C14/12

Abstract: 本申请实施例提出一种分子二聚体的制备方法，包括：步骤S1：在金属材料表面上生成单原子层，形成纳米网络；和步骤S2：将目标分子吸附在所述纳米网络上，并利用设计的分子间电子转移机制，以形成所述分子二聚体。本发明实施例提供的一种分子二聚体的制备方法能够简易且高效地实现分子二聚体的制备。本申请实施例还提供一种分子二聚体。

公开(公告)号：CN117374075A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202210846209.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 叶术军 ,  王业亮

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H10B12/00 ,  H10B10/00 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了竖直方向上叠加的横向型全栅金属氧化物半导体场效应晶体管(简称为横向型全栅晶体管)，以及其构成的CMOS逻辑电路与随机存储存储器等新型三维集成电路的结构及其制备方法。竖直叠加的横向型全栅晶体管的制备方法为：先制备单层沟道与源漏极，后用牺牲层保护，再制备绝缘隔离层，再在绝缘隔离层的上方制备上述重复的结构，然后再统一制备上述各层的源漏极与栅极之间的绝缘间隔层、栅极氧化物、栅极、与源漏极电极，最后制备与外界的连接导线。其构成的CMOS逻辑电路与随机存储存储器等新型三维集成电路可通过导线连接上述横向型全栅晶体管而实现。该发明为下一代高性能高集成度计算机芯片开辟了道路。

公开(公告)号：CN117279477A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210677080.9

申请日：2022-06-15

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 叶术军 ,  王业亮

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了一种反铁磁磁性存储器器件及其制备方法，该器件包括铁磁薄膜结构体、反铁磁薄膜结构体以及夹设于所述铁磁薄膜结构体和反铁磁薄膜结构体之间的隧道绝缘薄膜结构体。该器件制备方法为：在基板上自下而上依次制备第一电极、制备第一铁磁薄膜结构体并对其施加外界磁场、制备第一隧道绝缘薄膜结构体、反铁磁薄膜结构体、制备第二隧道绝缘薄膜结构体、制备第二铁磁薄膜结构体并对其施加与第一铁磁薄膜结构体相反的外界磁场、制备第二电极。本发明可实现器件尺寸减小的信息写入与读取方式，实现高密度存储，而且还拥有反铁磁体具有的太赫兹级高速信息写入以及抗外界磁干扰等特性。

公开(公告)号：CN114920239B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210505230.8

申请日：2022-05-10

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 韩旭 ,  黄元 ,  张德成 ,  陈辉 ,  许自强 ,  丁鹏飞 ,  戴贇贇 ,  王业亮

IPC: C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C01B19/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。

公开(公告)号：CN116666267A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310507570.9

申请日：2023-05-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 胡亘宇 ,  武旭 ,  胡世昊 ,  邵岩 ,  王业亮

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供了一种与晶圆级制备设备对接的旗形样品架原位转移装置，其包括均处于超高真空腔体内的储样设备、样品架、磁力传样杆、Y形晶圆架和样品生长台；储样设备包括金属圆片；样品架插槽设在金属圆片上且与金属圆片按照设计位置相互固定连接；样品架插槽由一对彼此平行布置的插板以及固设在一对插板一端端部的夹片组成；对于送入储样设备的样品，可被夹片固定在金属圆片的圆心到边缘之间任意位置；样品架插装于样品架插槽中。本发明通过在金属圆片上加设样品架插槽，使其上的样品可以对晶圆级基底任意位置的薄膜生长情况进行反馈，同时金属圆片可以很好的模拟正常晶圆级薄膜生长时的整体加热情况。

公开(公告)号：CN115385065A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210992374.0

申请日：2022-08-18

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 刘立巍 ,  王业亮 ,  杨涵 ,  黄元 ,  马远骁 ,  叶术军 ,  杨惠霞 ,  张腾

IPC: B65G47/74

Abstract: 本发明实施例公开了一种同轴可切换样品托的传样装置和超高真空传样系统，传样装置包括旋转抵触抓取部和端盖部，且旋转抵触抓取部与端盖部之间通过弹性复位元件组连接，其中，旋转抵触抓取部至少包括自内而外顺次套接且同轴设置的中轴组件、至少一组内套筒组件和外套筒组件；且，至少内套筒组件和外套筒组件中远离端盖部的一端各自形成有与样品托配合的配接口；至少内套筒组件和外套筒组件沿周向方向可自转地设置。实现了在不更换传样装置的前提下，能够针对性适配不同的样品托且能够在操作过程中进行自适应/自动切换，大大降低换件时间和真空环境的构建时间，提高整体的操作效率，降低在更换样品托的前提下的操作成本的效果。