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公开(公告)号：CN109904285A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910179765.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN105047788A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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公开(公告)号：CN104651904A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510048337.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以通过控制反应条件，制备不同周期不同孔径的纳米孔洞阵列，灵活方便，成本低廉，可以满足各种需求；采用纳米压印的方法转移和复制AAO的纳米孔洞阵列，避免了目前AAO纳米孔洞阵列图形转移过程中产生的结构有序性较差、AAO破损和无法重复使用等问题；采用二次压印的方法以及中间聚合物模板IPS方法，保护AAO的同时还可以有清洁作用，可以使得AAO重复使用，进一步降低成本。
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公开(公告)号：CN102082216A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199405.1
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。
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公开(公告)号：CN101976713A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010278595.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑(厚膜)衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差；用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法在已经做好图形的衬底上进行同质外延GaN基LED、LD器件结构。采用本发明可有效的防止同质自支撑(厚膜)GaN衬底的翘曲形变，从而有效提高光电子器件的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101732804A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226941.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明公开了一种昼夜节律紊乱治疗仪，包括眼镜式模框、贴片发光二极管模块和电源，还包括装配在所述眼镜式模框中的导光板，所述的导光板位于所述贴片发光二极管模块的出光面下方，以把发光二极管的输出光均匀散开而减弱轴向光强。本发明还公开了一种昼夜节律紊乱治疗仪的制作方法。本发明通过导光板技术对贴片发光二极管的轴向光强进行减弱，以保证照射治疗中视网膜的安全性，具有便携、安全的优点。
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公开(公告)号：CN101246945B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810101191.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种边发射型LED的封装结构，包括LED芯片、基座、旋转抛物面的反光碗、透明介质支撑结构、锥顶角为θ的倒圆锥形结构、倒圆锥形结构表面的反光层，其中：所述旋转抛物面的反光碗位于基座内，所述LED芯片固定在反光碗底部，所述反光碗内填充树脂，所述锥顶角为θ的倒圆锥形结构通过透明介质支撑结构连接在树脂表面。本发明采用全反射及镜面反射相结合的技术方案，实现了对光强角分布的控制，能够通过改变圆锥形反射面的锥顶角实现对光强角分布的控制。
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公开(公告)号：CN101452988A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810241116.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层，然后在整个LED外延层和基板上均匀涂上适量的、高导热率、膨胀系数和弹性模量匹配的导电银胶，高温键合后激光剥离蓝宝石衬底，清洁表面，在表面形成n电极，对电极以外的出光表面进行粗化处理，减薄基板至所需厚度并在其背部制备欧姆接触和共晶焊垫。最后进行激光划片，裂片，得到薄膜型LED芯片。本发明可减少激光剥离带来的芯片破裂，增加芯片侧面光的出射，同时增加粘接强度，提高芯片出光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN101246945A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810101191.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种边发射型LED的封装结构，包括LED芯片、基座、旋转抛物面的反光碗、透明介质支撑结构、锥顶角为θ的倒圆锥形结构、倒圆锥形结构表面的反光层，其中：所述旋转抛物面的反光碗位于基座内，所述LED芯片固定在反光碗底部，所述反光碗内填充树脂，所述锥顶角为θ的倒圆锥形结构通过透明介质支撑结构连接在树脂表面。本发明采用全反射及镜面反射相结合的技术方案，实现了对光强角分布的控制，能够通过改变圆锥形反射面的锥顶角实现对光强角分布的控制。
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公开(公告)号：CN1322596C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03156440.2
申请日：2003-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。
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