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公开(公告)号：CN104181769B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410386558.8
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种火山口型图形化蓝宝石衬底及其制备方法。本发明采用普通的商用微米PSS衬底作为压印模板，而非订制加工的压印模板，图形简单费用便宜，巧妙解决了压印模板制备困难且成本高昂的问题；同时利用纳米压印技术制备环形掩模，结合蓝宝石刻蚀技术得到高质量的VPSS，有利于VPSS的商业化；采用二次压印的方法以及IPS技术，避免将压印模板上的图形直接转印到外延片上旋涂的纳米压印胶上，导致模板碎裂；采用热压、紫外共压印STU，增加了产出效率和可重复性；本发明制备的火山口型图形化蓝宝石衬底比普通微米PSS具有更多侧向外延的成分和更多的反射面积，因而更有利于LED出光效率的提升。
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公开(公告)号：CN105023984B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047788A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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公开(公告)号：CN104651904A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510048337.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以通过控制反应条件，制备不同周期不同孔径的纳米孔洞阵列，灵活方便，成本低廉，可以满足各种需求；采用纳米压印的方法转移和复制AAO的纳米孔洞阵列，避免了目前AAO纳米孔洞阵列图形转移过程中产生的结构有序性较差、AAO破损和无法重复使用等问题；采用二次压印的方法以及中间聚合物模板IPS方法，保护AAO的同时还可以有清洁作用，可以使得AAO重复使用，进一步降低成本。
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公开(公告)号：CN105023984A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN105047788B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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公开(公告)号：CN104181769A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410386558.8
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种火山口型图形化蓝宝石衬底及其制备方法。本发明采用普通的商用微米PSS衬底作为压印模板，而非订制加工的压印模板，图形简单费用便宜，巧妙解决了压印模板制备困难且成本高昂的问题；同时利用纳米压印技术制备环形掩模，结合蓝宝石刻蚀技术得到高质量的VPSS，有利于VPSS的商业化；采用二次压印的方法以及IPS技术，避免将压印模板上的图形直接转印到外延片上旋涂的纳米压印胶上，导致模板碎裂；采用热压、紫外共压印STU，增加了产出效率和可重复性；本发明制备的火山口型图形化蓝宝石衬底比普通微米PSS具有更多侧向外延的成分和更多的反射面积，因而更有利于LED出光效率的提升。
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