公开(公告)号：CN101847577A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010135194.8

申请日：2010-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02573 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609

Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂反表面活性剂的同时形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于2μm；在所述第一层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的同时形成第二层；和通过在形成所述第二层期间调节所掺杂的表面活性剂和反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。

公开(公告)号：CN118825149A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467985.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 奥野浩司 ,  斋藤义树 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  上山智 ,  岩谷素显 ,  石黑永孝 ,  可知朋晃 ,  藤田真帆

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核11A使AlGaN或AlN生长并使相邻的来自核11A的晶体彼此合并，形成低温三维生长层12A；以及高温三维生长层形成工序，在比低温三维生长层形成工序高且为晶核层形成工序的温度以下的温度，从低温三维生长层12A使AlGaN或AlN生长而形成高温三维生长层12B。

公开(公告)号：CN115298833A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022817.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  奥野浩司 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。

公开(公告)号：CN105304777B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510418976.5

申请日：2015-07-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/2056 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供了一种具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。P型半导体层的形成步骤包括：通过供给掺杂剂气体和包含至少第III族元素的第一原料气体在发光层上形成p侧超晶格层的p型覆层形成步骤；通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p侧超晶格层上形成p型中间层的p型中间层形成步骤；在p型中间层形成步骤之后，供给掺杂剂气体同时停止供给第一原料气体的掺杂剂气体供给步骤；以及掺杂剂气体供给步骤之后，通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p型中间层上形成p型接触层的p型接触层形成步骤。

公开(公告)号：CN103681993B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310381676.5

申请日：2013-08-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 宫崎敦嗣 ,  奥野浩司

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。

公开(公告)号：CN105304777A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510418976.5

申请日：2015-07-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/2056 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/325 ,  H01L33/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供了一种具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。P型半导体层的形成步骤包括：通过供给掺杂剂气体和包含至少第III族元素的第一原料气体在发光层上形成p侧超晶格层的p型覆层形成步骤；通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p侧超晶格层上形成p型中间层的p型中间层形成步骤；在p型中间层形成步骤之后，供给掺杂剂气体同时停止供给第一原料气体的掺杂剂气体供给步骤；以及掺杂剂气体供给步骤之后，通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p型中间层上形成p型接触层的p型接触层形成步骤。

公开(公告)号：CN103367589B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310086320.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。

公开(公告)号：CN103178175B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210559207.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  青山俊介

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体器件及其制造方法。本发明提供的第III族氮化物半导体器件旨在松弛施加到发光层的应力。所述发光器件包括MQW层和形成在MQW层下方的n侧超晶格层。n侧超晶格层是通过重复地沉积层单元形成的，其中每个单元包括从蓝宝石衬底一侧依次沉积的InGaN层、GaN层和n-GaN层。在n侧超晶格层中，较靠近MQW层的InGaN层具有较高的In组成比。n侧超晶格层的InGaN层(其最靠近MQW层)的In组成比是MQW层的InGaN层(其最靠近n侧超晶格层)的In组成比的70％至100％。

公开(公告)号：CN104051590A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410085710.9

申请日：2014-03-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  佐村洋平

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种其中在设置有不平整形状的蓝宝石衬底上生长有平坦半导体层的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。当蓝宝石衬底的主表面上的平坦表面面积S与蓝宝石衬底的总面积K的面积比R为0.1以上至小于0.5时，在其主表面上具有不平整形状的蓝宝石衬底上形成半导体层时，供应包含第III族元素的原料气体和包含第V族元素的原料气体的至少两种气体使得满足公式1000≤Y/(2×R)≤1200。在公式中，Y为包含第V族元素的原料气体与包含第III族元素的原料气体的分压比。

公开(公告)号：CN103985792A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410048430.0

申请日：2014-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。