公开(公告)号：CN104347769B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201410381883.5

申请日：2014-08-05

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  佐村洋平

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了防止驱动电压增加并且整体上具有低穿透位错密度的第III族氮化物半导体发光器件。发光器件包括浮凸衬底。衬底在其主表面上具有以小间距布置有突起的第一区和以大间距布置有突起的第二区。第二区对应于p焊盘电极和n焊盘电极的通过衬底的主表面观察时的投影区域。第一区对应于既没有形成p焊盘电极也没有形成n焊盘电极的区域的通过衬底的主表面观察时的投影区域。

公开(公告)号：CN104051590A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410085710.9

申请日：2014-03-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  佐村洋平

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种其中在设置有不平整形状的蓝宝石衬底上生长有平坦半导体层的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。当蓝宝石衬底的主表面上的平坦表面面积S与蓝宝石衬底的总面积K的面积比R为0.1以上至小于0.5时，在其主表面上具有不平整形状的蓝宝石衬底上形成半导体层时，供应包含第III族元素的原料气体和包含第V族元素的原料气体的至少两种气体使得满足公式1000≤Y/(2×R)≤1200。在公式中，Y为包含第V族元素的原料气体与包含第III族元素的原料气体的分压比。

公开(公告)号：CN104347769A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410381883.5

申请日：2014-08-05

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  佐村洋平

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明提供了防止驱动电压增加并且整体上具有低穿透位错密度的第III族氮化物半导体发光器件。发光器件包括浮凸衬底。衬底在其主表面上具有以小间距布置有突起的第一区和以大间距布置有突起的第二区。第二区对应于p焊盘电极和n焊盘电极的通过衬底的主表面观察时的投影区域。第一区对应于既没有形成p焊盘电极也没有形成n焊盘电极的区域的通过衬底的主表面观察时的投影区域。