第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103178175B

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201210559207.3

    申请日:2012-12-20

    CPC classification number: H01L33/12 H01L33/007 H01L33/06 H01L33/32

    Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体器件及其制造方法。本发明提供的第III族氮化物半导体器件旨在松弛施加到发光层的应力。所述发光器件包括MQW层和形成在MQW层下方的n侧超晶格层。n侧超晶格层是通过重复地沉积层单元形成的,其中每个单元包括从蓝宝石衬底一侧依次沉积的InGaN层、GaN层和n-GaN层。在n侧超晶格层中,较靠近MQW层的InGaN层具有较高的In组成比。n侧超晶格层的InGaN层(其最靠近MQW层)的In组成比是MQW层的InGaN层(其最靠近n侧超晶格层)的In组成比的70%至100%。

    第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103178175A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201210559207.3

    申请日:2012-12-20

    CPC classification number: H01L33/12 H01L33/007 H01L33/06 H01L33/32

    Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体器件及其制造方法。本发明提供的第III族氮化物半导体器件旨在松弛施加到发光层的应力。所述发光器件包括MQW层和形成在MQW层下方的n侧超晶格层。n侧超晶格层是通过重复地沉积层单元形成的,其中每个单元包括从蓝宝石衬底一侧依次沉积的InGaN层、GaN层和n-GaN层。在n侧超晶格层中,较靠近MQW层的InGaN层具有较高的In组成比。n侧超晶格层的InGaN层(其最靠近MQW层)的In组成比是MQW层的InGaN层(其最靠近n侧超晶格层)的In组成比的70%至100%。

    交通工具用外装部件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118683458A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410235193.2

    申请日:2024-03-01

    Abstract: 提供一种交通工具用外装部件。交通工具用外装部件具备在电磁波的发送方向上位于搭载于交通工具的雷达装置的前方处的罩和壳体。壳体覆盖罩的靠雷达装置侧的表面。交通工具用外装部件通过将来自配置于壳体的内部的发光部的光照射至罩的装饰部而使装饰部发光。在壳体的内部配置有平板状的基板,上述基板上设置有发光部。基板配置于电磁波的发送范围的外侧。在壳体的内部配置有以使来自发光部的光朝向装饰部的方式使上述光反射的透镜。

    交通工具用外装部件以及电磁波雷达系统

    公开(公告)号:CN116893417A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310304498.X

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 交通工具用外装部件具有:罩,其构成为配置于电磁波的发送方向的雷达装置的前方;壳体,其将罩的后表面覆盖;以及基板,其配置于壳体内。基板具有构成为发出可见光的发光部。罩相对于与发送方向相正交的面即正交面形成大于或等于0°而小于或等于5°的角度。壳体的后壁在发送方向上与罩相对,并且相对于正交面形成大于或等于2°而小于或等于10°的角度。

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