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公开(公告)号：CN103682002B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310381669.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体地，本发明提供一种其中发光层中的应变得以松弛以实现高发光效率的第III族氮化物半导体器件以及用于制造该器件的方法。本发明的发光器件具有衬底、低温缓冲层、n型接触层、第一ESD层、第二ESD层、n侧超晶格层、发光层、p侧超晶格层、p型接触层、n型电极N1、p型电极P1和钝化膜F1。第二ESD层具有平均凹坑直径D的凹坑。平均凹坑直径D为至包括在n侧超晶格层中的InGaN层的厚度满足以下条件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。
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公开(公告)号：CN103681993A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310381676.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。
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公开(公告)号：CN102810607B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210169886.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C23C16/301 , C23C16/45523 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中，p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及p-InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过在将p-AlGaN层保持于生长温度的同时停止TMA的供应、引入TMI并增大Ga源气体的供应量，在p-AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的p-InGaN层，这里一个单层是p-InGaN的c轴的晶格常数的一半。由此，可以在保持良好的晶体质量的同时减小p覆层的厚度，从而减小驱动电压。
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公开(公告)号：CN103682002A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310381669.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体地，本发明提供一种其中发光层中的应变得以松弛以实现高发光效率的第III族氮化物半导体器件以及用于制造该器件的方法。本发明的发光器件具有衬底、低温缓冲层、n型接触层、第一ESD层、第二ESD层、n侧超晶格层、发光层、p侧超晶格层、p型接触层、n型电极N1、p型电极P1和钝化膜F1。第二ESD层具有平均凹坑直径D的凹坑。平均凹坑直径D为至包括在n侧超晶格层中的InGaN层的厚度满足以下条件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479899A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110373628.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供显示出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：其表面上具有凹凸的蓝宝石衬底；以及在蓝宝石衬底的凹凸表面上经由缓冲层依次堆叠的n-型层、发光层和p-型层，并且其各自均由第III族氮化物半导体形成。凹凸具有如下结构：包括形成于蓝宝石衬底的表面上并且其条纹方向对应于x-轴方向的第一条纹图案凹凸；以及形成于第一条纹图案凹凸顶上和其条纹方向对应于y-轴方向的第二条纹图案凹凸，y-轴方向与x-轴方向正交。与常规第III族氮化物半导体发光器件相比，包括具有上述凹凸的衬底的第III族氮化物半导体发光器件显示出改善的光提取性能。
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公开(公告)号：CN102208511B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110081872.1
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光器件，其表现出改善的发光性能而不增加驱动电压。所述III族氮化物半导体发光器件至少包括：n型层侧覆层、发光层和p型层侧覆层，所述层均由III族氮化物半导体形成。n型层侧覆层为具有包括InyGa1-yN(0＜y＜1)层、AlxGa1-xN(0＜x＜1)层和GaN层的周期性结构的超晶格层。AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为使得电子隧穿AlxGa1-xN层并且空穴被限制在发光层中。
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公开(公告)号：CN102810607A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210169886.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C23C16/301 , C23C16/45523 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中，p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过在将p-AlGaN层保持于生长温度的同时停止TMA的供应、引入TMI并增大Ga源气体的供应量，在p-AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的InGaN层。由此，可以在保持良好的晶体质量的同时减小p覆层的厚度，从而减小驱动电压。
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公开(公告)号：CN103681993B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310381676.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。
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公开(公告)号：CN102208511A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110081872.1
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光器件，其表现出改善的发光性能而不增加驱动电压。所述III族氮化物半导体发光器件至少包括：n型层侧覆层、发光层和p型层侧覆层，所述层均由III族氮化物半导体形成。n型层侧覆层为具有包括InyGa1-yN(0＜y＜1)层、AlxGa1-xN(0＜x＜1)层和GaN层的周期性结构的超晶格层。AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为使得电子隧穿AlxGa1-xN层并且空穴被限制在发光层中。
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