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公开(公告)号：CN104218131B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410238906.7
申请日：2014-05-30
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003
Abstract: 本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。
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公开(公告)号：CN103367589B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310086320.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN103985792A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410048430.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367113B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310105474.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。
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公开(公告)号：CN103367113A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310105474.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。
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公开(公告)号：CN103985792B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410048430.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。
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公开(公告)号：CN104218131A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410238906.7
申请日：2014-05-30
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003
Abstract: 本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。
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公开(公告)号：CN103367589A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310086320.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。
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