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公开(公告)号：CN115349176A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202180022947.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/778 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。源极电极(S1)形成在凹部(X1)之上。漏极电极(D1)形成在凹部(X2)之上。漏极电极接触区域(DC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ld)大于源极电极接触区域(SC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ls)。
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公开(公告)号：CN116615804A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180088463.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(S1)、漏极电极(D1)及栅极电极(G1)。第二半导体层(120)的带隙大于第一半导体层(110)及第三半导体层(130)的带隙。夹着第二半导体层(120)的第一中间层(150)及第二中间层(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。
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公开(公告)号：CN115315813A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022787.X
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。将栅极电极(G1)与第四半导体层(140)接触的栅极电极接触区域(GC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域包围将源极电极(S1)与第二半导体层(120)接触的源极电极接触区域(SC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域的周围。
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公开(公告)号：CN115298834A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022782.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
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公开(公告)号：CN115298833A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022817.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/808 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730551A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310469756.6
申请日：2013-10-10
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中，降低输出的光的发光波长的分布，使单色性提高。半导体发光元件（1）具备：含有n型杂质（Si）的n型覆盖层（142）、在n型覆盖层（142）上层叠的发光层（150）、包含含有p型杂质（Mg）并且在发光层（150）上层叠的p型覆盖层（161）的p型半导体层（160）。发光层（150）具备第1势垒层（1511）～第5势垒层（1515）、和第1阱层（1521）～第5阱层（1524），具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且，p型覆盖层（161）的厚度设定为第1阱层（1521）～第4阱层（1524）的每一层的厚度的3倍以下。
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公开(公告)号：CN116646375A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310136430.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。
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公开(公告)号：CN103489969B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310225995.7
申请日：2013-06-07
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题是维持从半导体发光元件输出的光的波长的单一性，并且抑制与环境温度的上升相伴的发光效率的下降。本发明提供一种半导体发光元件，其具备含有n型杂质的n覆盖层（142）、层叠在n覆盖层（142）上的发光层（150）、和含有p型杂质并且层叠在发光层（150）上的p覆盖层（161）。发光层（150）具备第1势垒层（151a）～第8势垒层（151h）和第1阱层（152a）～第7阱层（152g），由两个势垒层夹持1个阱层。将第1阱层（152a）～第5阱层（152e）设为共同的基准阱厚度和共同的组成，并将第6阱层（152f）和第7阱层（152g）设为比共同的基准阱厚度厚的最大阱厚度且设为带隙比共同的组成大的组成。
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公开(公告)号：CN103972337A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410028811.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明提供具有良好的发光特性的使用了III族氮化物半导体的半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具有：层叠在基板上的n型半导体层；发光层，由势垒层以及包含In原子的阱层交替层叠了多个的多重量子阱构造构成；和p型半导体层，发光层具有：3层以上的阱层；和4层以上的势垒层，从两侧夹入3层以上的阱层的各自，并且在与n型半导体层的边界部与n型半导体层连接且在与p型半导体层的边界部与p型半导体层连接，3层以上的阱层包含以从接近所述n型半导体层的一侧按顺序设置的多个n侧阱层、和接近p型半导体层一侧的一个p侧阱层，在发光层产生由向p型半导体层侧开口的凹部的斜面构成的V字状凹部，至少1层以上的n侧阱层的该斜面的In原子的浓度为在该n侧阱层内存在的In原子的浓度的50％以下。
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公开(公告)号：CN103972337B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410028811.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明提供具有良好的发光特性的使用了III族氮化物半导体的半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具有：层叠在基板上的n型半导体层；发光层，由势垒层以及包含In原子的阱层交替层叠了多个的多重量子阱构造构成；和p型半导体层，发光层具有：3层以上的阱层；和4层以上的势垒层，从两侧夹入3层以上的阱层的各自，并且在与n型半导体层的边界部与n型半导体层连接且在与p型半导体层的边界部与p型半导体层连接，3层以上的阱层包含以从接近所述n型半导体层的一侧按顺序设置的多个n侧阱层、和接近p型半导体层一侧的一个p侧阱层，在发光层产生由向p型半导体层侧开口的凹部的斜面构成的V字状凹部，至少1层以上的n侧阱层的该斜面的In原子的浓度为在该n侧阱层内存在的In原子的浓度的50％以下。
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