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公开(公告)号：CN1548920A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03131004.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体激光器安装对准的方法，包括如下步骤：把烧结上激光器管芯的TO管壳固定在支架上，TO管壳的底平面贴紧支架以保证TO管壳的中心轴方向为y方向；用一支准直的可见光激光器以与y方向成θ角的方向，照射在半导体激光器芯片的晶体自然解理面(即激光器的出射腔面)上；在距离激光器出光腔面为D的地方固定一把尺子，使半导体激光器腔面反射的光会在尺子上显现出一个光点；在激光器发光面与管壳的中心轴垂直时，通过公式计算出尺子上的光点与反射的光点的距离；通过测量距离E，就可测量出激光器发光方向与TO管壳的中心轴的角度偏差a。
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公开(公告)号：CN1492550A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02148073.7
申请日：2002-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在n型磷化铟衬底上外延多量子阱层结构；2)掩膜光刻腐蚀掉有源区以外的多量子阱层；3)外延铟镓砷磷体材料和一层磷化铟层；4)淀积一层介质膜，掩膜开光栅窗口，选择腐蚀磷化铟层；5)整片作均匀布拉格光栅；6)外延生长光栅盖层和电极接触层；7)光刻单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；8)溅射P面电极和N面电极。
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公开(公告)号：CN118572485A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410759783.5
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法，包括：在热沉上的第一电极上焊接出第一压焊点后，从第一压焊点向热沉上的第三电极拉出第一引线后断线，其中，第一引线的末端悬浮在第三电极的上方；在热沉上的第二电极上焊接出第二压焊点后，从第二压焊点向第三电极拉出第二引线，并将第二引线的末端与第一引线的末端共同压焊在第三电极上，形成第三压焊点；其中，第一电极为S电极，第二电极为并联电阻电极，第三电极为P电极，第一引线形成射频线，第二引线形成直流电压线；或第一电极为并联电阻电极，第二电极为S电极，第三电极为P电极，第一引线形成电吸收调制器的直流电压线，第二引线形成电吸收调制器的射频线。
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公开(公告)号：CN116470385A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310254345.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种放大反馈激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，避免了现有技术中放大反馈激光器因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，从而大幅提升器件性能。该放大反馈激光器包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；所述相位控制区设置在所述激光器区和所述相位控制区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连；所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构；所述多层生长结构包括光栅层，所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，所述光栅区包括光栅。
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公开(公告)号：CN116387977A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310430488.0
申请日：2023-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种直接调制激光器，涉及半导体光器件领域。该直接调制激光器包括：分布反射激光器和微环谐振滤波器，其中该分布反射激光器包括分布反馈激光器结构和分布布拉格反射结构；分布反馈激光器结构为多量子阱有源结构，用于产生光调制信号；该分布布拉格反射结构为无源波导结构，集成于分布反馈激光器结构的一端，用于通过调节注入电流的大小改变反馈至分布反馈激光器结构的光调制信号强度，使分布反馈激光器结构产生光子‑光子共振效应；该微环谐振滤波器，为无源波导结构，集成于分布反馈激光器结构远离分布布拉格反射结构的一端，用于利用光学滤波特性衰减光调制信号的偏移频率，降低分布反射激光器的频率啁啾。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137414A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111357614.1
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种窄线宽大功率激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底；激光器区，形成于所述衬底上，所述激光器区两侧为放大器区和波长稳定区；激光区脊型波导，形成于所述激光器区上；放大器区锥形波导，形成于所述放大器区上；波长稳定区脊型波导，形成于所述波长稳定区上；以及所述激光器区、放大器区、波长稳定区及所述激光区脊型波导、放大器区锥形波导、波长稳定区脊型波导之间具有电隔离沟。本发明通过锥形放大器、波长稳定器及各功能区的电隔离沟，能够实现大功率、窄线宽和波长稳定控制的效果，对目前泵浦光源存在的问题提出了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN116014561A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310057550.6
申请日：2023-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器，该方法包括：在衬底层上生长增益层；对增益层进行划分，自左向右依次得到第一光栅区、第一增益区、第一相位区、第三光栅区、第二相位区、第二增益区和第二光栅区；刻蚀去除目标区的增益层；利用波导对接生长方法，在目标区生长无源层；在第一光栅区的无源层、第二光栅区的无源层和第三光栅区的无源层制作取样光栅；在无源层的上表面和增益层的上表面均生长包层和电接触层；刻蚀电接触层和包层，得到电隔离沟，并将氦离子注入电隔离沟；在电接触层的上表面制作第一电极，并在衬底层的下表面制作第二电极，得到目标激光器。
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公开(公告)号：CN112670823A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011542742.9
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种电吸收调制激光器的制作方法，包括：在同一衬底上依次生长缓冲层和有源层，有源层包括第一有源层、作为激光器区有源层的第二有源层和作为波长稳定区有源层的第三有源层；刻蚀掉第一有源层，并对接生长调制器区有源层；在作为激光器区有源层的第二有源层内制作光栅；在调制器区有源层上、作为激光器区有源层的第二有源层上和作为波长稳定区有源层的第三有源层上依次生长包层和接触层；刻蚀部分包层和接触层制作脊型波导；刻蚀掉调制器区与激光器区之间、激光器区与波长稳定区之间的接触层，并注入氦离子形成电隔离沟；制作调制器区、激光器区和波长稳定器区的P型电极；对衬底进行背面减薄，并在衬底背面制作大面积N型电极。
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公开(公告)号：CN112670820A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011542714.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法，包括：在衬底表面上依次生长缓冲层和有源层，其中，有源层包括第一有源层和作为激光器区有源层的第二有源层；刻蚀掉第一有源层，并对接生长调制器区有源层；在作为激光器区有源层的第二有源层上制作光栅；在调制器区有源层上和作为激光器区有源层的第二有源层上依次生长包层和接触层，并利用包层和接触层制作脊型波导；刻蚀掉脊型波导两侧的调制器区有源层，得到刻蚀后剩余的调制器区有源层；刻蚀掉调制器区和激光器区之间的接触层，并进行氦离子注入，形成电隔离沟；制作调制器区和激光器区的P型电极，以及对衬底背面进行减薄后制作N型电极。
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公开(公告)号：CN107727365B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710880114.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用反射谱精细度测量光波导损耗的系统，测量系统包括：一可调谐激光器，用于产生波长可调谐的激光；一光路环形装置，将可调谐激光器输出的光信号导入耦合装置并将耦合装置所收集的反射光导入光电探测器；一耦合装置，用于实现环形装置和待测波导之间的耦合；一光电探测器，将收集到的光功率转换成光电流，并输出至计算机。一控制计算机，用于控制可调谐激光器的波长变化，并采集来自光电探测器的光电流信号；一待测波导，用于进行损耗测量。本测量方法通过测量波导F‑P干涉反射谱的精细度，进而计算获得波导的实际损耗，系统结构简单，操作简便，精度高，可广泛应用于集成光学领域。
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