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公开(公告)号：CN1209859C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02148073.7
申请日：2002-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在n型磷化铟衬底上外延多量子阱层结构；2)掩膜光刻腐蚀掉有源区以外的多量子阱层；3)外延铟镓砷磷体材料和一层磷化铟层；4)淀积一层介质膜，掩膜开光栅窗口，选择腐蚀磷化铟层；5)整片作均匀布拉格光栅；6)外延生长光栅盖层和电极接触层；7)光刻单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；8)溅射P面电极和N面电极。
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公开(公告)号：CN1527447A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03106828.6
申请日：2003-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底1上外延多量子阱层结构；在多量子阱层上生长氮化硅介质膜；在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜；快速退火；掩膜光刻；用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓砷磷层；在磷化铟层上掩膜光刻，开出光栅窗口，保留有源区上的磷化铟层，腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层，然后大面积做均匀光栅；选择腐蚀磷化铟层，然后外延光栅盖层和电极接触层；光刻出单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；溅射P面电极和N面电极。
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公开(公告)号：CN1312812C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03106828.6
申请日：2003-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底(1)上外延多量子阱层结构；在多量子阱层上生长氮化硅介质膜；在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜；快速退火；掩膜光刻；用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓砷磷层；在磷化铟层上掩膜光刻，开出光栅窗口，保留有源区上的磷化铟层，腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层，然后大面积做均匀光栅；选择腐蚀磷化铟层，然后外延光栅盖层，和电极接触层；光刻出单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；溅射P面电极和N面电极。
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公开(公告)号：CN1492550A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02148073.7
申请日：2002-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在n型磷化铟衬底上外延多量子阱层结构；2)掩膜光刻腐蚀掉有源区以外的多量子阱层；3)外延铟镓砷磷体材料和一层磷化铟层；4)淀积一层介质膜，掩膜开光栅窗口，选择腐蚀磷化铟层；5)整片作均匀布拉格光栅；6)外延生长光栅盖层和电极接触层；7)光刻单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；8)溅射P面电极和N面电极。
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