-
公开(公告)号：CN100514562C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610126999.X
申请日：2006-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , B81C1/00 , B81C5/00
Abstract: 本发明一种用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一碳化层，此碳化层作为衬底和3C-SiC薄膜的过渡层，有利于制备3C-SiC薄膜；4)在碳化层上外延生长一3C-SiC薄膜；5)结束，完成3C-SiC薄膜的制作。
-
公开(公告)号：CN116770221A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210727515.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、在凹槽内进行结构图形化的方法，其中，该掩膜结构包括：衬底层；第一镂空区，第一镂空区位于衬底层上；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层中包含第二镂空区，且第二镂空区位于第一镂空区的上方。
-
公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
-
公开(公告)号：CN104538290A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410851645.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66053 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
-
公开(公告)号：CN104482930A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410734012.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01C19/5656
CPC classification number: G01C19/5656
Abstract: 一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构简单、可靠性高的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102062826A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010564525.X
申请日：2010-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于差分方法的MEMS器件信号检测电路，包括：一信号源；一跟随器，该跟随器的输入端与信号源的输出端连接，以跟随信号源的变化；一第一器件夹具，该第一器件夹具的一端与跟随器的输出端连接，以提供一路与信号源同相的激励信号；一反相器，该反相器的输入端与信号源的输出端连接，以将信号源的输出信号反相；一第二器件夹具，该第二器件夹具的一端与反相器的输出端连接，以提供一路与信号源反相的激励信号；一跨阻放大器，该跨阻放大器的输入端与第一器件夹具及第二器件夹具的另一端连接，以将第一器件夹具与第二器件夹具的电流之和转化为电压。
-
公开(公告)号：CN101471637A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304221.8
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种的碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法。滤波器由两个结构尺寸完全相同的谐振器和中间耦合梁组成。该发明设计的射频滤波器的中心频率为谐振器的频率，其带宽由中间耦合梁决定。优化谐振梁结构尺寸可以得到高的谐振频率，同时优化耦合梁尺寸可以调整带宽。碳化硅优越的材料性能可以使器件应用于高温及腐蚀性等恶劣环境中；碳化硅高的声学速率可以提高器件的中心频率，增加频率选择性。本发明提出的碳化硅滤波器可以与集成电路工艺兼容，实现单片无线通信系统，满足射频通信系统高频带、微型化发展要求。
-
公开(公告)号：CN101440481A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177782.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：(1)在衬底上生长氧化硅层；(2)在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯(或丙烷)和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原位掺杂的方法降低碳化硅的电学电阻，N型掺杂源气体为氨气或氮气，P型掺杂源气体为硼烷或三甲基铝。采用优化的生长条件在氧化硅上获得低阻且表面平整光滑的碳化硅膜层。该发明的材料结构可以用于微纳机械系统(MEMS和NEMS)中。碳化硅作为MEMS结构材料层，其优越的性能使得器件可以应用于高温以及抗腐蚀等恶劣环境中；碳化硅高的杨氏模量可以大大提高谐振器及滤波器的谐振频率，应用于射频通信系统中。
-
公开(公告)号：CN101281862A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710065183.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。
-
公开(公告)号：CN200999271Y
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200720103516.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；一中心调节器，为一筒状，两端具有法兰；一三通排气管，位于中央转动装置上的支撑座上，中央转动装置穿过该三通排气管的两端，该三通排气管通过法兰与中心调节器连接；一石英管反应生长室，石英管反应生长室罩扣于中央转动装置，并与三通排气管固定；一磁力旋转装置，位于中心调节器的下方，通过传动轴与中央转动装置的联轴器连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.027 seconds)
