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公开(公告)号：CN113851500A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111125522.0
申请日：2021-09-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法，上述像素器件，包括：衬底；衬底内部设置第一P型硅掺杂区域；衬底上设置N型外延层；N型外延区域内部设置第二P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、N型硅掺杂区域；第一P型硅掺杂区域的上表面自左向右依次设置第二P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域；第四P型硅掺杂区域上设置N型硅掺杂区域，用于形成PN结；第二P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间、第三P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间均设置第一隔离区域；在第二P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧、第三P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧均设置第二隔离区域。
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公开(公告)号：CN113270314A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110522423.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/268 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , B01J27/24 , B01J35/10 , B01J37/34 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：将掺杂的Ⅲ族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，制备具有纵向纳米孔结构的Ⅲ族氮化物；刻蚀所得纵向纳米孔结构的Ⅲ族氮化物至预设深度，制备具有锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物。本发明可成功制备具有锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小、腐蚀时间的长短以及刻蚀过程中的预设刻蚀深度，可实现锥形结构底面直径和高度的调控，方法简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN113097169A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110353166.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供了一种用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构，包括：基板、带封装芯片和传输线；待封装芯片的第一表面与基板通过锡植球封装结构连接，待封装芯片的第二表面与基板通过镍钯金线键合封装结构连接；连接线分别与锡植球封装结构和镍钯金线键合封装结构连接，用于传输电流或者信号。本公开采用锡植球与镍钯金键合共用的方式，既使得封装具有高稳定性又尽可能缩小封装面积，可以将基板或者下层芯片上走线布置的更加密集，能够适用未来芯片需要集合高工作温度、微型化的发展趋势。
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公开(公告)号：CN113066810A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110323016.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素器件，包括：衬底；光电二极管，形成于衬底上，光电二极管包括P型外延层，以及形成于P型外延层内的N型埋层和表面P+层，其中，表面P+层形成于N型埋层上；N型埋层包括第一离子注入区和第二离子注入区，第一离子注入区至少部分地形成于第二离子注入区上，其中，第一离子注入区包括中心区域及位于中心区域外缘的多个尖形区域；浮置扩散区，形成于P型外延层的除表面P+层以外的区域内；环形传输晶体管栅极，至少部分地形成于光电二极管的上表面，且环形传输晶体管栅极环绕浮置扩散区。由于光电二极管的N型埋层包括具有中心区域及位于中心区域外缘的多个尖形区域的第一离子注入区，加速了光生电荷从N型埋层向浮置扩散区的转移。
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公开(公告)号：CN112865798A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110059238.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 本公开提出了一种噪声整形逐次逼近模数转换器及噪声整形方法，该噪声整形逐次逼近模数转换器包括第一栅压自举采样开关、第二栅压自举采样开关、VCO比较器、SAR数字逻辑电、第一电荷重分配型电容阵列、第二电荷重分配型电容阵列、无源环路滤波器及全差分动态放大器。本公开提出的噪声整形逐次逼近模数转换器能够实现二阶噪声整形效果，能够有效得抑制信号带内噪声，进而显著提高模数转换器的信噪失真比和无杂散动态范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110008833B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910149622.3
申请日：2019-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于光学遥感图像的目标船只检测方法，包括：对光学遥感图像构建图像金字塔，对每层金字塔的图像进行切块处理，得到多个图像块；针对每个图像块，求解该图像块的梯度，二值化并求和，若求和结果不小于预设阈值，则根据图像块中所有像素点的灰度值对该图像块进行局部特征描述，将图像块划分为多个局部区域，并判定局部区域是否包含局部特征，若存在，计算包含的局部特征的属性信息，并根据属性信息得到目标船只感兴趣区域并将计算感兴趣区域中心位置坐标；将感兴趣区域采样为预设分辨率大小的图像，判断图像的类别，若类别为船只，则根据图像对应的感兴趣区域中心位置坐标得到目标船只的位置坐标。该方法能够快速精确检测目标船只的位置。
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公开(公告)号：CN110098810A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910421151.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种开关电容积分器，包括：动态放大器，用于放大输入信号，包括运算放大模块，两加速模块以及尾电流偏置模块，其中，运算放大模块，用于提供预定的放大增益；两加速模块，用于增加所述放大模块的工作电流以增大运算放大模块的放大速度；尾部电流偏置模块，用于为运算放大模块提供偏置电流，以确定放大模块的直流工作点；两开关电容，分别设于运算放大模块的正向输入端与反向输入端，用于向运算放大模块输入输入信号；两积分电容，分别跨接于运算放大模块的正向输入端和反向输出端以及反向输入端和正向输出端，用于实现输入信号的积分。本发明提供的开关电容积分器，可以在不损害放大器线性度的前提下，加速积分器的建立，提高其建立精度。
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公开(公告)号：CN104467857B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410837097.1
申请日：2014-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供了一种逐次逼近模数转换器系统。该逐次逼近模数转换器系统中，模数转换器阵列采用分组设计，并采用链式循环的估计方法，可以消除单通道SAR ADC本身的电容失配，SAR ADC阵列之间的增益失配和失调电压失配等非理想因素引入的非线性，能够快速高效的完成模数转换器阵列的校准，大大降低了设计复杂度并降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104467845A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410837054.3
申请日：2014-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于共享电容阵列的自适应电荷再分布模数转换器及其转换方法和校准方法。本发明的模数转换器，通过引入共享电容阵列，在自适应滤波器的支持下，能够完成模数转换器的自适应校准。本发明的校准方法，能够实时跟踪环境变化校准电容失配引入的非线性，收敛速度快，精度高；本发明的模数转换器，不引入额外的采样保持电路及电容，能够大大降低电容匹配精度要求，减小面积，降低功耗，提高速度，不牺牲输入信号范围，特别适合工艺尺寸缩小。
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公开(公告)号：CN101452043B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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