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公开(公告)号：CN119312850A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411372578.X
申请日：2024-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G06N3/0495 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 提供了一种卷积神经网络量化训练方法，可应用于神经网络训练技术领域，包括：获取初始卷积神经网络；基于量化感知训练方法，对卷积层以及全连接层进行训练，得到量化后的权重；按照预设条件判断权重是否满足优化目标；将不满足优化目标的权重输入到惩罚函数中，得到惩罚损失；将惩罚损失和任务损失按照预设权重相加得到总损失函数；基于总损失函数，进行联合训练；以及将批归一化层的参数融合进前级卷积层，得到训练完成的卷积神经网络。在量化感知训练的基础上，对量化后的权重分布实施约束，有利于降低卷积层、全连接层乘累加部分和的绝对值大小，以减少固定位宽的累加器上的数据溢出情况，提升量化算法在部署平台上的目标精度。
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公开(公告)号：CN118714436A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410915543.X
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04N23/55 , G06V10/147 , G06V10/46 , G06V10/82 , G06N3/049 , G06N3/0464 , G06N3/08 , H04N23/81 , H04N25/60
Abstract: 本公开提供了一种视觉成像与识别装置，可应用于图像处理技术领域。该装置包括：成像传感器，用于获取目标物体的二维图像信息和三维深度信息；信号整形与编码模块，用于对二维图像信息和三维深度信息进行信号整形和编码，获得目标二维图像信息与目标三维深度信息；处理模块，用于对目标二维图像信息与目标三维深度信息处理和识别，以产生识别结果；输出模块，用于对识别结果进行信号同步缓存与输出；以及可编程微控制器，用于对成像传感器、信号整形与编码模块、处理模块与输出模块提供同步控制信号，以控制装置同步协调运行。该装置能够天然地模仿人脑视觉系统的工作机理，具有高性能低功耗的优势。
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公开(公告)号：CN116203821A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310190792.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G04F10/00 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 本公开提供了一种基于门控单光子计数的时间数字转换器系统，包括：锁相环，用于将输入的系统时钟信号倍频产生第一时钟信号；全局门控信号生成模块，响应于接收第一时钟信号生成M个第一门控信号和激光同步触发信号，第一门控信号被配置成与下一个第一门控信号交叠P个第一时钟信号的周期，每个第一门控信号的信号宽度为第一时钟信号的周期的M倍；激光同步触发信号适用于控制第一激光脉冲发出的时间，其中M为大于1的正整数，P为大于等于1的正整数；时间数字转换器阵列，适用于根据第一门控信号和第一时钟信号对第二激光脉冲信号进行门控计数，得到单光子在时间上的第一统计分布；第一激光脉冲信号经目标反射后得到第二激光脉冲信号。
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公开(公告)号：CN116132828A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310104895.2
申请日：2023-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种单光子图像传感器像素控制电路系统，可以应用于单光子成像技术领域。该电路系统包括：单光子雪崩二极管、被动淬灭支路、反相器、主动淬灭支路、缓冲器、计数器电路和单稳态电路。入射光子进入单光子雪崩二极管感光区触发雪崩后，单光子雪崩二极管的阻抗下降，阴极产生一个下降沿脉冲信号后单光子雪崩二极管处于恢复状态。该下降沿脉冲信号经过反相器转变为上升沿脉冲信号，通过缓冲器传输到计数器电路，计数器电路接收到经单稳态电路转化得到的像素内门控信号后，对该上升沿脉冲信号采样计数。本公开提供的像素控制电路系统，具有多种成像模式，可有效提高传感器像素阵列集成密度，降低数据读出量，提高传感器动态范围。
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公开(公告)号：CN114629498A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210297937.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03M1/66
Abstract: 本公开提供一种多通道数字‑模拟信号转换器，包括：交直流转换单元，用于将输入的交流信号转换为直流信号；直流降压稳压单元，与所述交直流转换单元相连，用于对所述直流信号进行降压稳压处理，得到可调基准电压和电源电压；滤波单元，与所述直流降压稳压单元相连，用于分别对所述可调基准电压和电源电压进行滤波，以得到目标基准电压和目标工作电压；以及数模转换单元，与所述滤波单元相连，用于在目标基准电压和目标工作电压的作用下，将通过SPI串行接口接收到的上位机发送的数字信号转换为模拟信号并输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116203821B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310190792.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G04F10/00 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 本公开提供了一种基于门控单光子计数的时间数字转换器系统，包括：锁相环，用于将输入的系统时钟信号倍频产生第一时钟信号；全局门控信号生成模块，响应于接收第一时钟信号生成M个第一门控信号和激光同步触发信号，第一门控信号被配置成与下一个第一门控信号交叠P个第一时钟信号的周期，每个第一门控信号的信号宽度为第一时钟信号的周期的M倍；激光同步触发信号适用于控制第一激光脉冲发出的时间，其中M为大于1的正整数，P为大于等于1的正整数；时间数字转换器阵列，适用于根据第一门控信号和第一时钟信号对第二激光脉冲信号进行门控计数，得到单光子在时间上的第一统计分布；第一激光脉冲信号经目标反射后得到第二激光脉冲信号。
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公开(公告)号：CN117590359A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311531721.0
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S7/4861 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S17/10
Abstract: 本公开提供了一种关于直方图的峰值处理电路，可以应用于峰值处理技术领域。该关于直方图的峰值处理电路包括：计数器单元，配置为根据与直方图数据中的N个分区时间各自对应的预设分区距离测量数据，得到N个分区统计数据，其中，N为大于1的整数；数字比较器阵列，配置为对所述N个分区统计数据进行比较，将所述N个分区统计数据中最大的分区统计数据确定为目标分区统计数据；以及多路选通器阵列，与所述数字比较器阵列连接，配置为根据所述目标分区统计数据，输出所述直方图数据的所述直方图峰值。
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公开(公告)号：CN117177089A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311273487.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04N25/78 , H04N25/77 , H04N25/589 , H04N25/53 , H04N25/20
Abstract: 本公开提供一种用于红外焦平面阵列的读出电路，涉及红外焦平面阵列技术领域。红外焦平面阵列包括多个阵列排布的像素单元，每一像素单元用于在曝光阶段感测红外光并输出光电流，该读出电路包括：积分放大模块，与至少一个像素单元连接，积分放大模块用于在曝光阶段，接收光电流，并对光电流进行N次积分处理，以完成至少N‑1个积分周期，每一积分周期对应生成一个脉冲，N为大于1的整数；积分控制模块，与积分放大模块连接，用于控制积分放大模块在曝光阶段对光电流依次进行N次积分处理，并将积分放大模块进行N次积分处理所生成的脉冲输出为模拟信号。
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公开(公告)号：CN116666481A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310160892.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种SPAD图像传感器件及制备方法，该SPAD图像传感器件包括：第一光子反射层、衬底、P型硅外延层、N埋层掺杂区、深N阱掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、浅沟槽隔离区、第二光子反射层、深沟槽隔离区、光子吸收层、阴极、阳极、微透镜和衍射微结构。本公开通过P型重掺杂区和深N阱掺杂区形成PN结，SPAD形成于P型硅外延层中，利用深沟槽隔离区进行像素与像素之间的隔离，可有效降低像素之间的电子串扰。同时通过微透镜与倒金字塔型的表面衍射微结构将光子汇聚至感光区域，采用锗或者锗化硅材料作为光子吸收层，提高了SPAD图像传感器件对近红外波段光子的吸收效率，通过第一光子反射层和第二光子反射层，进一步提高光子吸收率。
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公开(公告)号：CN113851500A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111125522.0
申请日：2021-09-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法，上述像素器件，包括：衬底；衬底内部设置第一P型硅掺杂区域；衬底上设置N型外延层；N型外延区域内部设置第二P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、N型硅掺杂区域；第一P型硅掺杂区域的上表面自左向右依次设置第二P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域；第四P型硅掺杂区域上设置N型硅掺杂区域，用于形成PN结；第二P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间、第三P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间均设置第一隔离区域；在第二P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧、第三P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧均设置第二隔离区域。
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