公开(公告)号：CN102097302B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201010566113.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  铃木启介 ,  张宰赫 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。

公开(公告)号：CN1908228B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610108370.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  小川淳 ,  金採虎 ,  福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  佐藤润

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。

公开(公告)号：CN101562133B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910130094.3

申请日：2009-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门永健太郎 ,  户根川大和 ,  周保华 ,  长谷部一秀 ,  柴田哲弥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/06 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。

公开(公告)号：CN102345111A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110217038.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  周保华 ,  山本和弥 ,  世良贤太郎

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2开闭阀，能向处理容器内供给反应气体；真空排气系统，其具有第3开闭阀，能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空，其中，吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次，该吸附工序为，关闭第3开闭阀，打开第1开闭阀规定期间，向处理容器供给原料气体之后，将其关闭，保持该状态规定期间，使原料气体吸附于被处理体的表面；该反应工序为，打开第2开闭阀，向处理容器内供给反应气体，使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。

公开(公告)号：CN101106075A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710149410.2

申请日：2007-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，通过向处理容器的处理区域内供给第一成膜气体的第一成膜处理，在处理区域内，在第一处理基板上形成第一薄膜。从处理容器卸载第一处理基板之后，进行处理容器内的清洗处理。清洗处理包括在向处理区域内供给清洗气体的同时，通过激励机构产生清洗气体的等离子体的工序。接着，通过向处理区域内供给第二成膜气体的第二成膜处理，在处理区域内，在被处理基板上形成第二薄膜。第二成膜处理是在通过激励机构产生第二成膜气体的等离子体的同时进行的等离子体成膜处理。

公开(公告)号：CN1831191A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610056982.1

申请日：2006-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明是在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内，在被处理基板上由CVD而形成绝缘膜。该成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第三工序与第四工序。其中所述第一工序对所述处理区域供给第一及第三处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第二处理气体的供给；所述第二工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给；所述第三工序对所述处理区域供给第二处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第一及第三处理气体的供给；所述第四工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给。