公开(公告)号：CN103187268A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210581126.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  李丙勲 ,  李殷祚 ,  孙成德 ,  张宰赫 ,  朴度炫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。

公开(公告)号：CN102097302B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201010566113.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  铃木启介 ,  张宰赫 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。

公开(公告)号：CN103187268B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210581126.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  李丙勲 ,  李殷祚 ,  孙成德 ,  张宰赫 ,  朴度炫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。

公开(公告)号：CN102097302A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010566113.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  铃木启介 ,  张宰赫 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。