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公开(公告)号：CN113444514B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110669930.6
申请日：2021-06-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种疏水性钙钛矿‑聚合物复合材料及其制备方法，在钙钛矿纳米晶表面形成排列紧密的具有粗糙表面的微纳结构，将钙钛矿纳米晶进行包封，使聚合物复合材料形成疏水的外部包封层。本发明采用纯化后的钙钛矿纳米晶制备均匀分散的钙钛矿纳米晶(PNCs)溶液；将均匀分散的钙钛矿纳米晶溶液、八乙烯基‑POSS(OVS)和α‑氰基丙烯酸酯(ECA)混合搅拌，获得均匀的混合溶液；取混合溶液中上清液，得到钙钛矿复合材料(PNCs‑PECA‑OVS)。本发明通过材料的结构设计形成了一种具有低表面能和粗糙表面的微纳结构，该结构最大程度减少表面与水之间的接触，成功的实现了钙钛矿复合材料的超疏水、高稳定性能，能广泛应用于水下照明，显示以及生物领域，满足工业化需求。
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公开(公告)号：CN111139060B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201911394014.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先以第一温度制备均匀的铟前驱体溶液；然后以第二温度获得均一尺寸的磷化铟核；再以第三温度保温第一时间，形成具有壳层包覆硒化锌的磷化铟量子点；然后进行快速降温至第四温度；再以第五温度合成硫化锌壳层并保温第二时间；然后重复制备硒化锌层～制备硫化锌壳层阶段的过程，形成InP/[ZnSe/ZnS]n多周期核壳结构的大尺寸量子点。本发明方法以InP量子点为核，依次交替包覆ZnSe和ZnS壳层，通过ZnSe晶格对ZnS晶格的拉应力来释放ZnS对内部结构产生的压应力，极大提高了量子点稳定性，并达到超大尺寸的特性，量子点发光效率有了显著的提高。
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公开(公告)号：CN111171814B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010016248.2
申请日：2020-01-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米棒的合成方法，首先制备钙钛矿纳米立方体和In‑OAm前驱体，然后合成APbX3钙钛矿纳米棒原溶液，再向APbX3纳米棒原溶液中加入乙酸酯，进行离心处理；然后沉淀物质中加入溶剂，使沉淀物质溶解形成APbX3钙钛矿分散液，再进行离心，去除沉淀，最终获得APbX3纳米棒溶液。本发明采用新的合成策略，依靠中间体分解再结晶过程降低反应速率，允许足够的时间用于钙钛矿的结晶和生长；同时引入了珊瑚型三(二乙氨基)膦配体，诱导了纳米棒的取向性生长；作为表面配体提供更致密的有机配体层，与表面结合力更强，提高了纳米晶稳定性，最终合成了形貌尺寸均一、发光效率高，稳定性好的钙钛矿纳米棒。
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公开(公告)号：CN114864840A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210204873.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备钝化剂TMBBr、制备TMB2PbBr4溶液、合成CsPbBr3粉末、制备准二维蓝光钙钛矿PEAxPA2‑x(CsPbBr3)n‑1PbBr4:TMBBr前驱体溶液、制备三维混卤素钙钛矿发光二极管器件。本分引用双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺钠作为氧化镍(NiOx)的界面修饰层，通过在准二维钙钛矿前驱体溶液中引入4‑(三氟甲基)苯甲酰胺氢溴酸盐，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN114824113A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210203744.8
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿‑有机杂化叠层发光二极管及其制备方法，从上而下依次设置负极、第一电子注入层、第一电子传输层、有机发光层、第一空穴传输层、电荷产生单元、第二电子传输层、钙钛矿发光层、第二空穴传输层、正极，所述的电荷产生单元具体为：空穴注入层、空穴产生层、电子产生层、第二电子注入层。本发明制备方法分别采用超声清洗法、溶液旋涂法、真空蒸镀法制备各功能层。本发明通过设计性能高效的电荷产生单元将钙钛矿发光二极管和有机发光二极管串联，利用叠层结构设计以综合两者的优势，改善有机LED的电致发光光谱宽化和钙钛矿LED寿命短的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114784214A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210203960.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂，沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层，构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN110299459B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910514252.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法，发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组，由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构，对白光LED发光模组进行包覆，反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光，并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光，通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好，发光效率高，所得到的白光LED工艺简单，环境友好，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111690401A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201911394191.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法，首先制备均匀的铟前驱体溶液并配置相应比例的磷前驱体；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入部分三(三甲基硅基)膦；再进行升温过程中，温度到达第二温度时加入剩余的三(三甲基硅基)膦；然后加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。本发明方法通过分比例加入磷源的方式，能够实现在不改变In:P摩尔比的前提下而有效增大量子点的核尺寸，使量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，使量子点的发光效率有了显著的提高，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN111117602A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911393742.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度核壳结构的大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先制备均匀的铟前驱体溶液；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入三(三甲基硅基)膦并升温至第二温度，形成磷化铟核；再加入额外的铟前驱体溶液和羧酸锌前驱体，进行磷化铟核的二次生长；然加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。在磷化铟核二次生长的过程中，通过加入羧酸锌以实现梯度核心的制备及便于厚壳硫化锌的包覆，量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN111117599A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911341590.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构量子点的梯度多壳层包覆方法，将氧化镉、醋酸锌、1-十八烯、油酸按照摩尔比为1:10:21:5.6的比例进行混合，在300℃下，向混合液中注入S-ODE复合溶液,形成反应物体系溶液，进行反应后在进行降温，然后进行升温，并开始进行梯度浓度的Cd源和Zn源滴加反应过程；完成一系列滴加具有梯度浓度的Cd-Zn和辛硫醇进行后续反应，从而得到具有ZnxCd1-xS成分梯度的梯度壳层。本发明通过OT与Cd离子的配位能力大于Zn离子，从而降低Cd活性，使得Cd和Zn的活性平衡；本发明方法合成的核壳量子点界面缺陷少，荧光强度高，发光效率高，稳定性好。
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