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公开(公告)号：CN111139060A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911394014.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先以第一温度制备均匀的铟前驱体溶液；然后以第二温度获得均一尺寸的磷化铟核；再以第三温度保温第一时间，形成具有壳层包覆硒化锌的磷化铟量子点；然后进行快速降温至第四温度；再以第五温度合成硫化锌壳层并保温第二时间；然后重复制备硒化锌层～制备硫化锌壳层阶段的过程，形成InP/[ZnSe/ZnS]n多周期核壳结构的大尺寸量子点。本发明方法以InP量子点为核，依次交替包覆ZnSe和ZnS壳层，通过ZnSe晶格对ZnS晶格的拉应力来释放ZnS对内部结构产生的压应力，极大提高了量子点稳定性，并达到超大尺寸的特性，量子点发光效率有了显著的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111139060B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201911394014.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先以第一温度制备均匀的铟前驱体溶液；然后以第二温度获得均一尺寸的磷化铟核；再以第三温度保温第一时间，形成具有壳层包覆硒化锌的磷化铟量子点；然后进行快速降温至第四温度；再以第五温度合成硫化锌壳层并保温第二时间；然后重复制备硒化锌层～制备硫化锌壳层阶段的过程，形成InP/[ZnSe/ZnS]n多周期核壳结构的大尺寸量子点。本发明方法以InP量子点为核，依次交替包覆ZnSe和ZnS壳层，通过ZnSe晶格对ZnS晶格的拉应力来释放ZnS对内部结构产生的压应力，极大提高了量子点稳定性，并达到超大尺寸的特性，量子点发光效率有了显著的提高。
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公开(公告)号：CN113325462A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110447448.8
申请日：2021-04-25
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/202 , C01G21/00 , C30B7/14 , C30B28/04 , C30B29/12 , G21K4/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B05D7/24 , B05D1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法，首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I)，选用基底为BaF2单晶闪烁体，公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应，在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV，γ射线衰减时间约为11ns，是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等，它们结合钙钛矿材料，同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。
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公开(公告)号：CN113325462B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110447448.8
申请日：2021-04-25
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/202 , C01G21/00 , C30B7/14 , C30B28/04 , C30B29/12 , G21K4/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B05D7/24 , B05D1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法，首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I)，选用基底为BaF2单晶闪烁体，公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应，在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV，γ射线衰减时间约为11ns，是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等，它们结合钙钛矿材料，同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。
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公开(公告)号：CN110054214A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202479.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，首先制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，然后采用旋涂工艺，将CsPbX3钙钛矿前驱体溶液设置于衬底上并固化退火成膜。在紫外灯的照射下，CsPbX3钙钛矿薄膜会根据卤素X的不同而呈现不同的颜色。本发明摒弃了传统用于制备CsPbX3钙钛矿薄膜的铯源溴化铯(CsBr)，采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源，制备的钙钛矿薄膜成本明显减少，采用本发明制备的CsPbX3薄膜相比于传统方法制备的CsPbX3薄膜稳定性得到明显提高，钙钛矿粒径得到明显的减小，制备工艺更加环保和绿色健康。
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公开(公告)号：CN109971481A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910196909.1
申请日：2019-03-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于外延生长InP壳层发光的无镉量子点的制备方法，以宽带隙量子点为核，外延均匀生长窄带隙的InP壳层作为发光中心，并继续宽带隙梯度壳层的包覆。所制备量子点能够通过调节InP壳层厚度得到相应发光峰位，且其具有较窄的发射光谱，发光效率和稳定性也有了显著的提高。ZnSe量子点的尺寸分布非常均一，半峰宽窄，在ZnSe核的基础上进行窄带隙InP发光层的包覆不仅能够有效保证量子点的尺寸均一性，还便于通过控制InP的厚度来精确调控发光峰位。因此，本发明外延生长窄带隙InP壳层发光且能保持窄半峰宽的方法，在磷化铟壳层基础上继续包覆梯度壳层，进一步提高了无镉量子点的量子产率和稳定性。
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