公开(公告)号：CN108470674A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810039796.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 魏志鹏 ,  唐吉龙 ,  方铉 ,  亢玉彬 ,  王登魁 ,  房丹 ,  王新伟 ,  贾慧民 ,  王晓华 ,  马晓辉

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V-L-S(气-液-固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V-S(气-固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。

公开(公告)号：CN108364851A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810033542.7

申请日：2018-01-15

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 魏志鹏 ,  方铉 ,  房丹 ,  唐吉龙 ,  陈雪 ,  李如雪 ,  王新伟 ,  王登魁 ,  王晓华 ,  马晓辉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种对GaSb材料表面进行氮钝化处理的方法。该方法利用原子层沉积技术对GaSb材料表面进行N钝化处理，在处理过程中通过引入高能量激光，使高能量激光光斑照射在原子层沉积系统腔室内N源出口处，用高能量激光辅助处理N源气体分子，高能的激光光子与NH3或N2这些N源气体分子相互作用，使NH3或N2分子活化为离子状态，提高N源的活性，实现N源能完全饱和GaSb材料表面的悬挂键，N源与GaSb材料表面的Ga原子快速成键并生成氮化物钝化层薄膜，本发明提出的这种方法能够在较低温度下实现，避免了高温沉积钝化层薄膜时会对GaSb材料引入其他形式缺陷的问题，实现在较低温度下对GaSb材料表面高质量的N钝化处理及高质量氮化物钝化层薄膜的制备。

公开(公告)号：CN107706740A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710902588.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 张晶 ,  祝子翔 ,  乔忠良 ,  高欣 ,  薄报学 ,  李辉 ,  王宪涛 ,  魏志鹏 ,  马晓辉 ,  孙春明 ,  陈锋

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/323

Abstract: 一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F-P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀形状没有过多要求，仅需要穿过整个外延层可达到良好的光吸收效果。

公开(公告)号：CN107261334A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710310046.7

申请日：2017-05-05

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 张晶 ,  祝子翔 ,  乔忠良 ,  高欣 ,  薄报学 ,  李辉 ,  王宪涛 ,  魏志鹏 ,  马晓辉 ,  陈锋 ,  孙春明 ,  张继宇

IPC: A61N5/06

CPC classification number: A61N5/0613 ,  A61N2005/0626 ,  A61N2005/0651 ,  A61N2005/0661

Abstract: 本发明公开了一种紫外LED新生儿缺钙治疗设备，包括照度调节、时间调节、声光报警、数据储存、微处理器、光电转换器、光学探测器、照度电路、时间电路、开关控制单元、紫外LED模组、电源供电装置、石英玻璃。本发明根据前期的理论分析以及相关大量的临床试验，其波段主要在275～325nm，选用发光波带较窄、寿命更长、功率更大的紫外LED光源，研制一种紫外LED新生儿缺钙治疗仪，可有效解决传统光疗仪的诸多副作用，提高我国北方新生儿缺钙的治疗水平。本发明所要解决的技术问题是提供一种紫外LED新生儿缺钙治疗仪，降低蓝光荧光灯治疗仪的副作用，增大功率，缩短治疗时间，延长仪器的使用寿命，有效治疗新生儿缺少阳光导致缺钙的症状，克服传统光疗仪的诸多副作用及不稳定性，基本不需要给新生儿采用药物和激素的手术疗法。

公开(公告)号：CN107069423A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710352038.9

申请日：2017-05-19

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 魏志鹏 ,  唐吉龙 ,  方铉 ,  王新伟 ,  楚学影 ,  王登魁 ,  王菲 ,  冯源 ,  张晶 ,  王晓华

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。

公开(公告)号：CN105449524A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510962315.9

申请日：2015-12-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 邹永刚 ,  田锟 ,  王海珠 ,  海一娜 ,  李洋 ,  郝永芹 ,  马晓辉 ,  徐莉 ,  金亮 ,  魏志鹏 ,  范杰

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/06 ,  H01S5/4012

Abstract: 多对共用多组分光镜平面排布单管合束半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术光束质量差。本发明中的热沉为两个相同的平面热沉，波长相同的多对单管半导体激光器分为两列，分别安装在两个平面热沉上，并且，每对单管半导体激光器中的两个单管半导体激光器发光方向相对且光轴重合，各对单管半导体激光器的光轴彼此平行；在两列单管半导体激光器之间分布一个分光镜阵列，分光镜镜面与单管半导体激光器输出光光轴呈45°角、与平面热沉所在平面垂直，一行分光镜中的相邻两个分光镜彼此垂直，一列分光镜中的各个分光镜彼此平行；在每对单管半导体激光器中的两个单管半导体激光器之间都排列一行分光镜；在分光镜阵列同一方向反射光一侧设置共用反射腔镜。

公开(公告)号：CN105390423A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510756730.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 王菲 ,  邢鹏岳 ,  陈润泽 ,  李玉瑶 ,  方铉 ,  魏志鹏 ,  王晓华 ,  付秀华

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67121

Abstract: 本发明提供了一种液体毛细键合装置，包括载物台（1）、一维滑轨（2）、滑块（3）、联接块（4）、高压气体喷枪（5）、电磁阀门（6）、气体容器（7）、图像采集单元（8）、成像光学系统（9）和上位机（10）。该装置采用图像采集与处理系统实时判断键合完成状况来替代操作人员目测主观判断的方式，有效提高了判断的准确性；在键合工艺完成后自动关闭高压喷枪喷射气体，节约了惰性气体资源，且在整个键合工艺过程中无需操作人员值守。

公开(公告)号：CN105278042A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410347308.3

申请日：2014-07-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 刘鹏程 ,  刘国军 ,  李洪雨 ,  魏志鹏 ,  冯源 ,  郝永芹 ,  安宁 ,  陈芳 ,  何斌太 ,  刘超 ,  王清桃 ,  席文星

IPC: G02B6/36 ,  G02B6/43 ,  G03F7/20 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic crystalline etching simulation（ACES）软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向；硅刻蚀：根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜，调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜；镀膜：使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜，利用磁控溅射技术沉积薄膜，减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器（VCSEL）与尾纤的耦合，或者其他需要折转光路的耦合情形，有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。

公开(公告)号：CN104928653A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410099591.2

申请日：2014-03-18

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 方铉 ,  魏志鹏 ,  唐吉龙 ,  陈芳 ,  高娴 ,  房丹 ,  李金华 ,  楚学影 ,  方芳 ,  王晓华 ,  王菲

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术制备p型Cu2O薄膜的方法，该方法是在PEALD系统中以NH3作为掺杂，通过δ掺杂方式，首先在衬底上沉积一层NH3，在沉积的NH3基础上再层积一层CuI，紧接着层积一层O2，生成一分子层氮气，n分子层Cu2O的，完成一个周期，根据需要生长N个这样的周期。所获得的p型Cu2O薄膜具有高的电学性能和良好的均匀性。通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜。可根据需要简单精确的对薄膜进行掺杂控制。

公开(公告)号：CN102249221B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110133130.9

申请日：2011-05-23

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 魏志鹏 ,  高娴 ,  唐吉龙 ,  房丹 ,  方铉 ,  陈芳 ,  牛守柱 ,  方芳 ,  楚学影 ,  李金华 ,  王菲 ,  王晓华

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种在衬底上利用激光光束通过光栅加热方法制备条纹宽度可控的单层石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。石墨烯具有较高的电子传输特性、响应频率好和较宽光波段透明度的性质，能够实现高速电子器件制备的优化。因此实现生长优质的条纹状石墨烯材料对于电子技术的发展具有重要意义。本发明利用激光通过光栅加热衬底的方法制备条纹状的单层石墨烯，省略了光刻步骤，一步完成，简单易行，没有附加物质对生长材料的污染；同时，可以快速去除光束，具有降温快等特点，可以减少不必要的多层石墨稀生长，有效的实现石墨烯单层生长，其特征在于用光栅得到分立的光束，进而得到分立的条纹状的单层石墨烯。