公开(公告)号：CN105281201A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410346740.0

申请日：2014-07-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 安宁 ,  刘国军 ,  刘超 ,  李占国 ,  刘鹏程 ,  何斌太 ,  常量 ,  马晓辉 ,  席文星

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层，所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比，本发明能够减少量子阱内的Auger复合，抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出，有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。

公开(公告)号：CN105278042A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410347308.3

申请日：2014-07-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 刘鹏程 ,  刘国军 ,  李洪雨 ,  魏志鹏 ,  冯源 ,  郝永芹 ,  安宁 ,  陈芳 ,  何斌太 ,  刘超 ,  王清桃 ,  席文星

IPC: G02B6/36 ,  G02B6/43 ,  G03F7/20 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic crystalline etching simulation（ACES）软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向；硅刻蚀：根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜，调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜；镀膜：使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜，利用磁控溅射技术沉积薄膜，减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器（VCSEL）与尾纤的耦合，或者其他需要折转光路的耦合情形，有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。