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公开(公告)号：CN105633795A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610184072.5
申请日：2016-03-28
Applicant: 长春理工大学
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0654
Abstract: 一种扩展透明窗口半导体激光器，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足单模半导体激光器高功率工作的技术要求，半导体激光器输出端(2)受到有限光斑尺寸的限制极易损伤。本发明采用高阶布拉格光栅(6)作为激光器后腔面反馈结构，采用窄条形脊形波导作为激光器增益区(5)，在激光器输出端(2)采用平面扩展透明窗口结构(4)有效增加了输出光斑尺寸，从而改善窄条形单模半导体激光器的功率输出特性。该方法可应用于各类半导体激光器的制造。
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公开(公告)号：CN105406354A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410468409.6
申请日：2014-09-15
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅，涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于，利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长，利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光，经历显影、坚膜，最后利用体积配比为HCl:C2H6O2＝3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀，获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅，且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时，这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN104701732A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410314268.2
申请日：2014-07-02
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/065
Abstract: 一种外腔宽条形半导体激光器腔模选择方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量，使高功率宽条形半导体激光器的应用受到限制。本发明采用采用体光栅外腔方法，通过光栅平面法线垂直于表面的体光栅的窄角度光束反馈及外腔长度优化选择，对快轴准直的宽条形大功率半导体激光器芯片的内腔横模进行选择，使小发散角的低阶模受到有效的外腔反馈，从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
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公开(公告)号：CN104332823A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410674400.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/20
Abstract: 一种改善宽条形大功率半导体激光器光束质量的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量，使宽条形大功率半导体激光器的应用受到很大限制。本发明采用在宽条形波导区施加凸形强度分布的张应力的方法，减弱由于波导区凸形温度分布引起的凸形折射率分布，抑制激光器波导的热透镜效应，从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
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公开(公告)号：CN103022894A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210513084.X
申请日：2012-11-22
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。本发明通过制备立方氮化硼(c-BN)薄膜层作为激光器腔面的钝化膜，有效的减小了激光器腔面灾变光学损伤，提高了激光器件可靠性与稳定性。本发明通过对半导体激光器bar条的前后腔面的离子预清洗后，采用磁控溅射方法，在bar条的前后腔面沉积立方氮化硼(c-BN)层，然后再在前后腔面分别镀增透膜以及高反膜。该发明方案可应用于各类半导体激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916338A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210380871.1
申请日：2012-10-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/028
Abstract: 一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中只采用一次光刻，结合电子束蒸发和常规湿法腐蚀工艺，同时完成激光器条形结构刻蚀、选择性SiO2/TiO2薄膜蒸镀以及电绝缘层的制备。本发明适用于GaAs基无铝半导体激光器，制作工艺简单，并能显著提高半导体激光器的输出功率。
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公开(公告)号：CN101533770B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910066813.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/302 , H01L33/00 , C23C14/22 , C23C14/02
Abstract: 一种定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法。是采用应变工程原理和图形衬底结合技术定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法，来制作实现量子点单光子发射器件的InAs/GaAs量子点，克服量子点在生长表面上随机分布并且点密度很高而且分布的随机性很大的难题，可靠地控制其在光学微腔中的位置。本发明是一种定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法。克服了自组织生长方法生长量子点的随机性，可靠地控制其位置和密度。这种基于单光子发射源的需要而设计提出来的方法将为制备量子点单光子发射源在材料制备方法上提供一种参考手段。
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公开(公告)号：CN107706740A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710902588.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/323
Abstract: 一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F-P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀形状没有过多要求，仅需要穿过整个外延层可达到良好的光吸收效果。
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公开(公告)号：CN107275921A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710437897.8
申请日：2017-06-13
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面，结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜，然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制，形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。
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公开(公告)号：CN107261334A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710310046.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 长春理工大学
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61N5/0613 , A61N2005/0626 , A61N2005/0651 , A61N2005/0661
Abstract: 本发明公开了一种紫外LED新生儿缺钙治疗设备，包括照度调节、时间调节、声光报警、数据储存、微处理器、光电转换器、光学探测器、照度电路、时间电路、开关控制单元、紫外LED模组、电源供电装置、石英玻璃。本发明根据前期的理论分析以及相关大量的临床试验，其波段主要在275～325nm，选用发光波带较窄、寿命更长、功率更大的紫外LED光源，研制一种紫外LED新生儿缺钙治疗仪，可有效解决传统光疗仪的诸多副作用，提高我国北方新生儿缺钙的治疗水平。本发明所要解决的技术问题是提供一种紫外LED新生儿缺钙治疗仪，降低蓝光荧光灯治疗仪的副作用，增大功率，缩短治疗时间，延长仪器的使用寿命，有效治疗新生儿缺少阳光导致缺钙的症状，克服传统光疗仪的诸多副作用及不稳定性，基本不需要给新生儿采用药物和激素的手术疗法。
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