公开(公告)号：CN103531458A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310406295.8

申请日：2013-09-09

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 单少杰 ,  刘国军 ,  魏志鹏 ,  郝永芹 ,  冯源 ,  安宁 ,  周路 ,  陈芳 ,  罗扩郎 ,  张升云 ,  何斌太 ,  刘鹏程

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30617 ,  H01L21/308

Abstract: 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较大并且腐蚀表面粗糙度较低的刻蚀效果，从而有利于后续工艺的进行并且提高器件的整体性能。该方法首先使用H3PO4、H2O2、H2O溶液进行台面一次刻蚀，利用这种腐蚀液刻蚀纵宽比大的特点得到侧向腐蚀较小的台面，然后使用H3PO4、kmnO4、H2O腐蚀液对被腐蚀表面进行二次修饰，进一步降低腐蚀表面的粗糙度。该方法适用于GaAs材料或含有GaAs半导体材料的刻蚀。

公开(公告)号：CN103454703A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310413275.3

申请日：2013-09-12

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 刘国军 ,  单少杰 ,  郝永芹 ,  魏志鹏 ,  冯源 ,  李特 ,  安宁 ,  周路 ,  罗扩郎 ,  陈芳 ,  何斌太 ,  刘鹏程

IPC: G02B3/00 ,  H01S5/183

Abstract: 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透镜，使其构成复合腔结构，可以有效提高垂直腔面发射激光器的光束质量。本方法操作简单，原料基本无毒，可控性较好。

公开(公告)号：CN105281201A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410346740.0

申请日：2014-07-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 安宁 ,  刘国军 ,  刘超 ,  李占国 ,  刘鹏程 ,  何斌太 ,  常量 ,  马晓辉 ,  席文星

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层，所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比，本发明能够减少量子阱内的Auger复合，抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出，有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。

公开(公告)号：CN105278042A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410347308.3

申请日：2014-07-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 刘鹏程 ,  刘国军 ,  李洪雨 ,  魏志鹏 ,  冯源 ,  郝永芹 ,  安宁 ,  陈芳 ,  何斌太 ,  刘超 ,  王清桃 ,  席文星

IPC: G02B6/36 ,  G02B6/43 ,  G03F7/20 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic crystalline etching simulation（ACES）软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向；硅刻蚀：根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜，调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜；镀膜：使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜，利用磁控溅射技术沉积薄膜，减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器（VCSEL）与尾纤的耦合，或者其他需要折转光路的耦合情形，有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。